64Mb SPI MRAM存储芯片Everspin MRAM的替代选项

1、MRAM存储芯片介绍
在工业控制、医疗设备和车载电子这类对数据可靠性要求很高的场合，最怕的就是掉电丢数据。传统NOR Flash写入慢、擦写寿命有限，SRAM又离不开电池供电。相比之下，MRAM存储芯片兼具非易失、读写快、寿命长的优点，正在成为越来越多工程师选型时优先考虑的方案。

EMI推出的64Mb SPI MRAM，它基于自旋转移矩磁阻技术（STT-MRAM），把两颗32Mb单元叠封成64Mb容量，装在24-BGA小封装里，同时兼容SPI Mode 0与Mode 3，MRAM存储芯片还支持XIP现场执行，代码可直接在片上运行。

2、MRAM存储芯片性能
在速度上，这款MRAM存储芯片SDR模式最高108MHz，DDR模式54MHz，比普通串行NOR Flash明显更快。更打动人的是耐久性——写入寿命高达10的14次方次，读操作几乎不限次，85℃下数据可保持10年，而且无需外挂ECC。对频繁记录日志、反复断电重启的系统来说，非常合适。MRAM存储芯片功耗也控制得不错。待机电流约1.2mA（1.8V版本），深度掉电模式最低120µA，适合电池供电的便携设备。

3、MRAM存储芯片适合哪些场景
64Mb（8MB）容量加上串行接口的易用性，让它很适合工业控制、智能电表、医疗设备、汽车电子等需要掉电保存与频繁写入的场合。工业级-40℃到85℃的工作温度范围，也覆盖了大多数严苛环境。

4、可作为Everspin MRAM的替代选项
不少现成方案用的还是Everspin的SPI MRAM。EMI这款MRAM存储芯片在接口、指令和封装上都按兼容思路设计，可作为Everspin MRAM的替代型号来评估。它同时提供3.3V、1.8V两个电压版本，适配不同主控平台；内部带WP#硬件写保护、块锁定以及状态与配置寄存器等软件保护机制，数据安全不打折扣。

除了规格对齐，替代还意味着多一条供应链选择。部分Everspin型号交期偏长、采购受限，EMI这颗器件支持样品与批量供货，无论做第二供应商还是直接切换，都更从容。除EMI外。英尚还代理NETSOL MRAM，非常适合那些由于STT-MRAM的非易失性、几乎无限的持久性和快速写入特性而必须快速频繁地存储和检索数据和程序的应用程序。NETSOL MRAM也可兼容Everspin MRAM芯片，如需要寻找Everspin MRAM的替代，欢迎来询英尚，代理商英尚微支持技术指导及产品解决方案。

审核编辑 黄宇