至信微推出1200V超低导通电阻碳化硅JFET 功率器件性能再上新台阶

至信微电子近期正式发布全新1200V系列碳化硅JFET产品，全系列产品实现了5mΩ的超低导通电阻指标，凭借极低的导通损耗和高可靠的性能表现，为新能源汽车、光伏储能、工业电源等高压大功率场景，提供了一款高性价比的国产碳化硅功率器件新选择。

作为第三代宽禁带半导体的核心器件之一，碳化硅功率器件相比传统硅基器件，拥有更高的击穿电场强度、更快的开关速度和更低的导通损耗，是当前高压大功率场景里替代传统硅基IGBT的核心方向。而JFET结构的碳化硅器件，相比常用的MOSFET结构，在高温长时间运行场景下拥有更稳定的可靠性表现，不存在MOS结构里常见的栅极氧化层长期老化漂移问题，非常适合光伏逆变器、储能变流器这类需要长时间连续运行的高压场景。

这次至信微电子发布的全新系列产品，核心指标做到了1200V耐压下仅5mΩ的超低导通电阻，这个指标在同类型国产碳化硅JFET产品里处于第一梯队水平。以往很多同耐压等级的碳化硅器件，导通电阻普遍在十几甚至几十毫欧，器件导通的时候会产生大量的发热损耗，不仅浪费电能，还需要搭配体积庞大的散热系统，拉高整个终端产品的设计成本。这款新品把导通电阻做到5mΩ之后，器件本身的导通损耗直接降到了非常低的水平，同样功率等级的终端设备，用这款器件之后整体发热明显减少，散热片的体积可以做的更小，终端产品的整体功率密度就能大幅提升。

为了保证产品的长期可靠性，这款全系列产品在量产之前就完成了全套严苛的车规级可靠性测试，包括高温反偏、高温栅偏、功率循环、长期高温老化等全项测试项目，哪怕在175℃的极端高温环境下长时间连续运行，器件的各项参数也不会出现明显漂移。很多高压大功率场景里，功率器件的可靠性直接决定了整个设备的使用寿命，比如光伏逆变器要在户外连续运行25年以上，新能源车的电驱部件要保证十几万公里的稳定运行，这款产品的高可靠特性，完全能满足这类长生命周期场景的使用要求。

这款新品落地之后，能覆盖非常广泛的高压大功率应用场景。在光伏储能领域，组串式光伏逆变器、集中式储能变流器搭载这款器件之后，整机的转换效率能提升0.3到0.5个百分点，对于大型光伏电站来说，这点效率提升每年就能带来非常可观的额外发电量收益，同时更低的发热也能降低电站的散热系统运维成本。在新能源汽车的车载充电机、高压DC-DC部件里，这款器件能帮助车载电源进一步提升功率密度，缩小部件体积，给车内腾出更多可用空间。在工业电源、高压充电桩这类场景里，器件的高开关速度能帮助终端设备提升开关频率，减小配套的电感、电容等被动元件的体积，进一步降低整机的物料成本。

目前至信微电子这款1200V超低导通电阻碳化硅JFET系列产品，已经正式开放送样给下游客户测试，预计很快就能进入批量供货阶段。后续至信微电子还会持续拓展碳化硅器件的产品矩阵，覆盖更多不同耐压等级、不同导通电阻档位的产品，为国内新能源、工业控制等产业提供更多高可靠、高性价比的国产碳化硅功率器件选择，助力国内宽禁带半导体产业的自主可控发展。