电子说
作为电子工程师,我们总是在寻找能优化电路性能、延长电池寿命且体积小巧的元器件。近期我深入研究了安森美(onsemi)推出的一款3A超小型低导通电阻(Ron)且带自动放电路径的负载开关——NCV451,在此将我的研究成果分享给大家。
文件下载:NCV451-D.PDF
NCV451的工作电压范围为0.75V - 5.5V,这使得它能适配多种电源系统。无论是低电压的传感器模块,还是高电压的电池供电设备,都能轻松驾驭。例如在一些物联网设备中,电源电压可能会因电池电量的变化而有所波动,NCV451的宽电压范围就能确保设备在不同电压下稳定工作。
从数据手册可知,在3.6V - 5.5V电压下,N MOSFET的导通电阻为21mΩ;在1V - 3.3V电压下,导通电阻为22mΩ。低导通电阻能有效降低功率损耗,提升电池的使用效率。设想一下,在一个长时间工作的便携式设备中,如果导通电阻过大,会导致大量电能转化为热能浪费掉,而NCV451的低导通电阻特性就能很好地解决这个问题。
该负载开关的直流电流最高可达3A,这意味着它能够为高功率的负载提供稳定的电源。在一些对功率要求较高的设备,如小型电机驱动模块中,NCV451就能满足其电流需求,确保设备正常运行。
NCV451内置了输出放电路径,能有效消除输出轨上的残余电压。当负载开关关闭时,自动放电功能可快速将输出电容中的电荷释放掉,避免对后续电路产生影响。比如在一些需要频繁开关的电路中,这个功能能提高系统的可靠性和稳定性。
采用DFNW6 2.2 x 2 mm、0.65 pitch的封装,体积非常小巧。这对于对空间要求苛刻的设备,如可穿戴设备、小型智能硬件等来说,是一个非常重要的优势。
| 引脚名称 | 引脚编号 | 类型 | 描述 |
|---|---|---|---|
| IN | 4, 5 | POWER | 负载开关输入电压,需尽可能靠近集成电路连接一个1μF或更大的陶瓷电容到地。 |
| GND | 1 | POWER | 接地连接。 |
| EN | 6 | INPUT | 使能输入,逻辑高电平开启电源开关。 |
| OUT | 2, 3 | OUTPUT | 负载开关输出,建议尽可能靠近集成电路连接一个1μF陶瓷电容到地。 |
| EPAD | 7 | POWER | 外露焊盘,连接到地电位。 |
大家在设计电路时,一定要严格按照引脚功能的要求进行连接,否则可能会影响负载开关的正常工作。
在使用过程中,必须注意器件的最大额定值,超过这些值可能会损坏器件。例如,IN、OUT、EN引脚的电压范围为 -0.3V 到 +7.0V,人体模型(HBM)静电放电(ESD)额定值为1.5kV等。
其工作条件包括电源电压、使能电压、环境温度范围等。如工作电源电压范围为0.75V - 5.5V,环境温度范围为 -40°C 到 +105°C。在实际应用中,要确保设备在这些推荐的工作范围内运行,以保证其性能和可靠性。
以静态漏源导通电阻 (R{DS(on)}) 为例,在不同的输入电压和温度条件下,其值会有所变化。当 (V{IN}=5V),(I_{OUT}=200mA),(T_A = 25°C) 时,典型值为21mΩ,最大值为40mΩ;当 (T_J = 125°C) 时,最大值会上升到50mΩ。这就提醒我们在设计时要考虑温度对器件性能的影响。
功率耗散是影响器件性能和可靠性的重要因素。其计算公式为 (P{D}=R{DS(on)} times (I{OUT})^2),而结温计算公式为 (T{J}=P{D} × R{theta JA}+T_{A})。在设计时,我们需要根据实际的输出电流和环境温度来计算功率耗散和结温,确保器件在安全的工作范围内。
由于NCV451集成了高达3A额定的NMOS FET,因此PCB设计要遵循一定的规则以确保散热良好。增加PCB面积,特别是IN和OUT引脚周围的面积,可以降低封装的热阻 (R_{theta JA}),从而提高功率耗散能力。例如采用2 oz、4层并带有过孔贯穿2个内层的布线方式。
安森美NCV451负载开关以其卓越的性能、小巧的封装和丰富的功能,为电子工程师在设计电路时提供了一个很好的选择。但在实际应用中,我们还需要根据具体的需求和场景,合理选择和使用该器件,确保电路的稳定性和可靠性。大家在使用过程中遇到过什么问题或者有什么独特的经验,欢迎在评论区分享交流。
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