先进3D NAND存储器芯片的深度技术分析和成本对比报告据麦姆斯咨询介绍,不断增长的消费电子和数据中心市场正在加速对更高容量、更可靠的储存器需求。这使得2016至2018年期间,存储器产业的营收从770亿美元增长到1770亿美元。3D NAND闪存制造商发现:既要满足上述市场对更高存储容量和可靠性的需求,同时还要降低每比特(bit)成本,是一项不小的挑战。
每家制造商实施不同的技术手段,改变存储类型和存储单元设计,并在每一代产品中堆叠更多层,以增加比特密度,减小芯片尺寸。存储单元架构的技术变化和基本存储器特征的改变,增加了制造工艺的复杂性。然而,这些技术确实降低了每千兆字节的成本。本报告展示了目前市场上四家存储器制造商的最新一代3D NAND闪存的技术和成本分析。
这些存储器产品来自东芝(Toshiba)/闪迪(SanDisk)、三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)和英特尔(Intel)/美光(Micron)。我们的分析基于对3D NAND闪存拆解与制造工艺分析,揭示了制造商采用的技术。此外,本报告还明确了供应链中的其它参与者。所以,我们根据上述信息可以预估内存晶圆和裸片的成本。
本报告研究的主要厂商及其3D NAND存储器产品(样刊模糊化)本报告对最新3D NAND裸片进行研究,包括对芯片横截面和制造工艺的深度剖析,详细介绍了物理结构,突出了存储单元设计和存储类型。同时,我们将存储器结构与相关的专利进行匹配。
3D NAND存储器芯片逆向分析图示最后,本报告对所研究的3D NAND存储器进行了详尽的对比分析,以突出了它们之间相似点、不同点和对成本的影响。
先进3D NAND存储器芯片对比分析(样刊模糊化)
先进3D NAND存储器物理分析(样刊模糊化)
先进3D NAND存储器芯片成本对比分析(样刊模糊化)
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