纳微半导体首批出货美国制造的第五代GaNFast技术

结合Navitas专有的Gen 5 GaNFast™技术与专业能力结合 GlobalFoundries 先进的美国 200 毫米制造与工艺基线，巩固了美国在氮化镓（GaN）领域的领导地位，并保障了下一代人工智能及关键基础设施的国内供应链安全。

纳微半导体公司（纳斯达克代码：NVTS）是下一代  GaNFast™ 氮化镓 (GaN) 和 GeneSiC™ 碳化硅 (SiC) 功率半导体行业领导者，今天宣布首批出货美国制造的第五代GaNFast™技术，与 GlobalFoundries（GF）合作，将于 9 月启动，标志着在加强国内用于人工智能基础设施和关键国家安全应用的 GaN 生态系统方面迈出一个重大里程碑。

2025年11月，Navitas和GF宣布了一项长期战略合作伙伴关系，以加速美国的GaN创新和国内制造。Navitas开发了其第5代GaNFast FETs和功率集成电路（IC），用于GF位于佛蒙特州伯灵顿的200毫米GaN-on-Si制造设施的生产。

Gen 5 GaNFast 系列的首批出货标志着 Navitas 与 GF 合作的重要里程碑，将 Navitas 的下一代 GaNFast 技术引入美国晶圆厂，用于人工智能基础设施、高性能计算、工业电气化以及关键国家安全应用。

自2014年以来，Navitas率先推动GaN功率半导体创新，在集成功率、驱动、控制、传感和保护的GaNFast FET和功率集成电路方面建立了行业领导地位。Navitas在GaN和SiC领域拥有超过300项已颁布和待批的专利，在GaN工艺设计套件（PDK）、器件架构和集成功率技术方面积累了深厚的专有技术。

Navitas 与格罗方德（GF）紧密合作，将自身专长应用于优化其专有的 Gen 5 GaNFast 技术及器件架构，以适配格罗方德先进的 200 毫米氮化镓硅基平台进行制造。结合格罗方德数十年的半导体制造经验与大规模生产能力，该合作伙伴关系为人工智能基础设施及其他关键应用提供了可靠的美本土化先进氮化镓功率半导体供应。

“这一里程碑彰显了美国创新与制造的实力，”Navitas 总裁兼首席执行官 Chris Allexandre 表示，“我们与 GlobalFoundries 携手，为我们的 GaNFast 第五代及未来产品建立了可靠的美国本土制造来源，这将在为人工智能基础设施和高性能计算提供动力的同时，进一步增强美国半导体生态系统的韧性。”

"来自我们美国生产线的首批货物，彰显了 GF 与 Navitas 如何将先进的氮化镓（GaN）创新转化为安全、可扩展的本土供应链，"GF 功率业务高级副总裁 Kannan Soundarapandian 表示。"通过将 Navitas 在功率半导体领域的领导地位与 GF 的制造专长相结合，我们正在为人工智能基础设施及其他关键应用提供所需的高效功率解决方案，同时增强美国半导体生态系统的韧性。"

最初的产品系列预计将包括650 V GaN FET,RDS（ON）值为11 mΩ、18 mΩ、50 mΩ、120 mΩ和150 mΩ，第一批芯片计划于9月发货，内部样品将于10月发货，战略客户样品将于年底前发货。

关于Navitas

Navitas Semiconductor（纳斯达克股票代码：NVTS）是下一代功率半导体领域的领军企业，专注于氮化镓（GaN）与集成电路集成器件，以及高压碳化硅（SiC）技术，推动人工智能数据中心、高性能计算、能源与电网基础设施以及工业电气化等领域的创新。公司在宽禁带技术领域拥有超过 30 年的综合经验，其 GaNFast™功率集成电路集成了GaN功率、驱动、控制、传感和保护，提供更快的功率传输、更高的系统密度和更高的效率。GeneSiC™高压SiC器件利用专利“槽辅助平面技术”为中压电网和基础设施应用提供行业领先的电压能力、效率和可靠性。Navitas拥有超过300项已颁布或待批的专利，是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。

关于 GlobalFoundries

GlobalFoundries（GF）是核心半导体领域的领先制造商，致力于推动人工智能从云端到物理世界的规模化应用。通过与客户的深度合作，GF 为汽车、航空航天与国防、数据中心、智能移动设备、物联网及其他高增长市场提供差异化、低功耗且高性能的解决方案。GF 在美国、欧洲和亚洲均设有全球制造运营网络，是全球客户值得信赖的一体化技术合作伙伴。GF 才华横溢的全球团队每日始终专注于安全、持久性与可持续性。