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最近做穿戴设备的电源树优化,碰到个挺头疼的问题:外设模块休眠的时候漏电流有几百uA,电池续航直接砍了1/3,换了好几颗负载开关要么是封装太大塞不下,要么是过3A电流的时候温升炸了,直到翻到安森美这颗NCP451,用了俩月踩了点坑,整理下干货给大伙参考。
文件下载:NCP451-D.PDF
先不说干巴巴的参数,直接讲对我们设计有用的点:
适用场景基本覆盖所有消费类便携设备:手机、平板、穿戴、数码相机、GPS这类对功耗和体积敏感的产品都能用。
| 直接提炼大家做设计最关心的极限值,不用去翻datasheet找了: | 参数 | 数值 | 设计提醒 |
|---|---|---|---|
| 输入输出最大耐压 | 7V | 5V系统用足够,不要接12V的场合 | |
| ESD等级 | HBM 1.5kV/MM 250V/CDM 2kV | 普通消费级产品不用额外在引脚加TVS,过IEC61000-4-2接触放电8kV的话再加就行 | |
| 最大过流 | 3A DC | 峰值4A以内短时间没问题,长时间满负载建议留20%余量 | |
| 工作结温 | -40~125℃ | 消费级足够,工业级户外高温场景建议做降额设计 | |
| 热阻RθJA | 100℃/W(2层1oz铜)/60℃/W(4层2oz铜) | 这个是重点,散热好不好全看PCB设计,后面会讲怎么优化 |
我前后打了两版板,踩了几个常见的坑,给大伙避避:
输入输出各1uF的MLCC必须紧挨着芯片的IN、OUT引脚放置,距离不要超过2mm,我第一版为了走线方便把电容放了5mm远,带载切换EN的时候输出有120mV的尖峰,把电容挪到引脚旁边之后尖峰直接降到20mV以内,稳得很。电容选X5R/X7R材质的0402封装就行,不用选太大的。
IN和OUT的电源走线至少要0.5mm宽(1oz铜),如果是2oz铜可以降到0.3mm,别为了挤空间走0.2mm的细线,不然走线本身的电阻就有好几mΩ,平白增加功耗和温升。EN的控制走线无所谓,普通信号线宽度就行,记得加个100k的下拉电阻到地,别浮空,不然容易误触发开关。
如果你的应用经常要跑3A满负载,就在芯片下方的裸露区域多打3~4个0.2mm的过孔接到内层地,热阻至少能降20%,我实测室温25℃下3A满负载跑1小时,芯片表面温度才41℃,完全不用担心过热保护。
以我们的穿戴设备应用为例:3.8V锂电输入,3A满负载,2层1oz铜板,热阻100℃/W,Ron取12mΩ: 导通功耗:P=I²R=3²0.012=0.108W 温升:ΔT=PRθJA=0.108*100=10.8℃ 就算环境温度到60℃,结温也才70.8℃,远低于125℃的上限,余量非常足。
我用下来最大的感受就是省事儿,外围只要2个电容就够了,BOM成本比以前用分立MOS+驱动+放电电路便宜了一半还多,占板面积少了70%,目前做了三批样机都没出问题,做便携设备的小伙伴可以试试。
你们最近做电源设计有没有碰到什么奇葩的需求?评论区唠唠。
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