便携电源设计福音:实测安森美NCP451 3A超小负载开关,省掉一半外围器件

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便携电源设计福音:实测安森美NCP451 3A超小负载开关,省掉一半外围器件

最近做穿戴设备的电源树优化,碰到个挺头疼的问题:外设模块休眠的时候漏电流有几百uA,电池续航直接砍了1/3,换了好几颗负载开关要么是封装太大塞不下,要么是过3A电流的时候温升炸了,直到翻到安森美这颗NCP451,用了俩月踩了点坑,整理下干货给大伙参考。

文件下载:NCP451-D.PDF


核心特性:完全踩中便携设备的需求痛点

先不说干巴巴的参数,直接讲对我们设计有用的点:

  1. 超宽输入+低压启动:0.75V~5.5V的工作范围,单节锂电从满电4.2V到欠压2.8V全场景覆盖,就算是那种1.2V的纽扣电池供电的低功耗设备也能用,不用额外做升压给开关供电。
  2. 极低导通电阻:3.6V~5.5V输入下Ron只有12mΩ,1V~3.3V下也才13mΩ,3A满负载下导通损耗才不到0.11W,这点功耗基本不用额外做特殊散热也能跑。
  3. 集成自动放电通路:这个是真的省事儿,以前做负载开关还要自己在外输出加放电电阻,要么放电慢要么占空间,这颗芯片EN拉低之后自动给输出电容放电,不会有残压导致外设复位异常。
  4. 超小封装:0.9*1.4mm的WLCSP6封装,比0402的电阻大不了多少,现在消费类设备挤板载空间的需求完全能满足,而且全系列无铅无卤符合RoHS要求,过认证不用愁。

适用场景基本覆盖所有消费类便携设备:手机、平板、穿戴、数码相机、GPS这类对功耗和体积敏感的产品都能用。


设计边界先摸清楚:避免踩极限参数的坑

直接提炼大家做设计最关心的极限值,不用去翻datasheet找了: 参数 数值 设计提醒
输入输出最大耐压 7V 5V系统用足够,不要接12V的场合
ESD等级 HBM 1.5kV/MM 250V/CDM 2kV 普通消费级产品不用额外在引脚加TVS,过IEC61000-4-2接触放电8kV的话再加就行
最大过流 3A DC 峰值4A以内短时间没问题,长时间满负载建议留20%余量
工作结温 -40~125℃ 消费级足够,工业级户外高温场景建议做降额设计
热阻RθJA 100℃/W(2层1oz铜)/60℃/W(4层2oz铜) 这个是重点,散热好不好全看PCB设计,后面会讲怎么优化

实测踩坑经验:这几个点做错很容易翻车

我前后打了两版板,踩了几个常见的坑,给大伙避避:

1. 电容摆放是第一优先级

输入输出各1uF的MLCC必须紧挨着芯片的IN、OUT引脚放置,距离不要超过2mm,我第一版为了走线方便把电容放了5mm远,带载切换EN的时候输出有120mV的尖峰,把电容挪到引脚旁边之后尖峰直接降到20mV以内,稳得很。电容选X5R/X7R材质的0402封装就行,不用选太大的。

2. 走线宽度别省

IN和OUT的电源走线至少要0.5mm宽(1oz铜),如果是2oz铜可以降到0.3mm,别为了挤空间走0.2mm的细线,不然走线本身的电阻就有好几mΩ,平白增加功耗和温升。EN的控制走线无所谓,普通信号线宽度就行,记得加个100k的下拉电阻到地,别浮空,不然容易误触发开关。

3. 热设计优化花不了多少功夫

如果你的应用经常要跑3A满负载,就在芯片下方的裸露区域多打3~4个0.2mm的过孔接到内层地,热阻至少能降20%,我实测室温25℃下3A满负载跑1小时,芯片表面温度才41℃,完全不用担心过热保护。

给大家算个实际的温升案例

以我们的穿戴设备应用为例:3.8V锂电输入,3A满负载,2层1oz铜板,热阻100℃/W,Ron取12mΩ: 导通功耗:P=I²R=3²0.012=0.108W 温升:ΔT=PRθJA=0.108*100=10.8℃ 就算环境温度到60℃,结温也才70.8℃,远低于125℃的上限,余量非常足。


总结:这颗芯片性价比真的高

我用下来最大的感受就是省事儿,外围只要2个电容就够了,BOM成本比以前用分立MOS+驱动+放电电路便宜了一半还多,占板面积少了70%,目前做了三批样机都没出问题,做便携设备的小伙伴可以试试。

你们最近做电源设计有没有碰到什么奇葩的需求?评论区唠唠。

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