选型干货 | 加高HSO751S 25MHz有源晶振参数拆解,附踩坑提醒

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选型干货 | 加高HSO751S 25MHz有源晶振参数拆解,附踩坑提醒

最近做工业网关的时钟选型,翻到加高(H.ELE)这款HSO751S系列25MHz有源晶振的规格书,整理了点干货,给同做硬件设计的兄弟们参考,省得你们再翻几十页datasheet了。

文件下载:SSR025000I3CH.pdf


一、基础信息先捋清楚

先把最核心的标识信息放出来,查料、找替代的时候直接用:

  • 厂商:加高电子(HARMONY ELECTRONICS),台湾/深圳两地工厂都有生产,RoHS合规、无铅工艺
  • 客户料号:SSR025000I3CH
  • 标称频率:25.000000MHz
  • 封装:7.0*5.0mm DIP-4直插,适合通孔焊接或者自动插件机量产
  • 丝印规则:年份用年份最后1位数字表示,月份用A-M字母(跳过I)对应1-12月,比如丝印1M就是2011年12月生产,收料的时候可以直接核对批次,避免拿到积压陈料。

二、核心电气参数,选型必核对

先给大家划重点,之前踩过晶振温漂超标的坑,批量挂了200多台,现在选晶振这些参数我都是一个个对着看:

1. 极限参数(别作系列)

参数 数值 提醒
供电电压上限 7V 超过直接烧内部IC,别试
存储温度 -55~125℃ 仓库存储别扔在户外暴晒就行
输出电流上限 25mA 后端别挂太多负载,不够就加缓冲器

2. 正常工作参数

参数 数值 适用场景说明
工作电压 3.0~3.6V(典型3.3V) 只适合3.3V系统,5V平台别选
工作温度范围 -10~70℃ 普通工业室内、消费电子够用,户外-40℃场景直接pass
全温范围频偏 ±50ppm 包含温漂、电压波动、负载变化的总偏差,普通以太网、MCU时钟需求完全满足
工作电流 ≤25mA 功耗中规中矩
待机电流 ≤20μA 1脚拉低就进入关断模式,做低功耗产品的时候很香,不用额外切时钟电源
输出特性 CMOS电平,带30pF负载,占空比40~60%,上升/下降时间≤10ns 直接接PHY、MCU时钟引脚都不用额外匹配
年老化率 ±5ppm/年 按产品5年生命周期算总偏差也才25ppm,足够用

三、可靠性参数,过认证不用愁

做工业产品要过CE、FCC可靠性测试的,这部分参数直接拿去给测试工程师看就行:

  • 机械性能:50cm自由跌落3次、10~55Hz 0.8mm振幅三轴各振动2小时,频偏都不会超过±5ppm,量产运输、普通工业振动场景没问题
  • 密封性:氦检漏漏率≤1e-8Pa·m³/s,普通潮湿环境不用怕内部进水汽
  • 环境可靠性:高低温存储、-30~+80℃温循25次、85℃加电老化240小时后,频偏都在±5ppm以内,常规可靠性测试基本都能过。

四、踩坑提醒!焊接和使用注意事项

这些都是我踩过的坑,给你们提前避了:

  1. 焊接别瞎搞:回流焊峰值220℃最多10s,最多过2次炉;手焊烙铁头温度别超350℃,每个引脚焊接时间别超3s,之前实习生手焊烫了5s,直接晶振频偏超了20ppm,找了半天问题。另外别用腐蚀镍的清洗液,不然引脚镀层掉了,上锡难还容易锈。
  2. 硬件设计别偷懒:这个晶振内部没集成旁路电容,一定要在VDD和GND之间放个100nF的陶瓷电容,越靠近引脚越好,我习惯加100nF+1nF的组合滤高低频纹波,不然出来的时钟带杂波,后端PHY容易出丢包问题。另外它是CMOS器件,ESD要注意,别裸手碰引脚,静电打坏了哭都来不及。
  3. 存储别乱堆:别放高温高湿的地方,不然引脚氧化上锡难,我们之前仓库没管控,放了半年的料焊接良率只有80%,全是虚焊。
  4. 插装前先试机:这个料支持自动插件机,但最好先拿小批量试下你的机台参数,不然插件应力太大把晶振内部震裂了,到了客户端才出问题就亏大了。

最后说下选型建议

这款晶振性价比很高,适合3.3V供电的室内工业设备、消费电子、普通物联网设备,如果是做户外宽温、车规级的产品,就别选这个了,温度范围不够,得找更高级别的型号。

你们平时选25M晶振都用哪家的?有没有踩过什么奇葩的坑?评论区聊聊~

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