利用逻辑兼容的嵌入式闪存技术存储多级突触权重

Anaflash（加利福尼亚州圣何塞）是一家初创公司，它开发了一种测试芯片，用于演示在逻辑兼容的嵌入式闪存中进行的模拟神经网络计算。

该公司由Suvolta的前模拟设计副总裁Sang-Soo Lee于2017年成立。明尼苏达大学的研究人员在旧金山举行的国际电子器件会议上发表了一篇关于其方法的论文。该论文的标题为： “A 68 parallel row access neuromorphic core with 22K multi-level aynapses based on logic-compatible embedded flash memory technology”

该论文讨论了一种利用逻辑兼容的嵌入式闪存技术的尖峰神经形态核心，用于存储多级突触权重，用65nm的标准CMOS工艺流片。这种存储器支持5级的读操作，相当于2.3位（5=2^2.3）。

该芯片具有多级非易失性权重存储，单周期因子聚合和尖峰生成，可包含320个神经元。使用程序验证序列调整权重，允许同时对68个单独的单元因子求和。作者说，据他们所知，这是迄今为止报道的最高之一。

68个并排设计支持22,000个多级突触，这些基于电子闪存的突触是非易失性的，因此待机功率为0且支持即时的开/关操作。

该测试芯片用于手写数字识别时，其准确度达到了91.8％。该论文指出，最大吞吐量为1.28G像素/秒，单个神经元电路的平均功耗为15.9微瓦。

该公司宣布已在美国和其他国家提交专利申请。