三星拟放缓2019年记忆体增产 有助降低DRAM跌价速度

美中贸易战导致市场不确定性大增，记忆体大厂三星传出将调降明年DRAM及NAND Flash位元出货量，若随着产出减少，有助于明年跌价压力趋缓，对台记忆体厂有利。

南亚科今年第四季起营运反转下滑，但今年将赚逾一个股本，明年股利可期；周四，外资反手买超3256张，股价亦回稳。

据韩国外电，三星计划2019年放慢明年记忆体增产速度，DRAM位元出货量由原本预估的20%以上调降至低于20%，因限制产能增加，有助于降低DRAM跌价速度及幅度。

另一大厂美光也在日前法说会中透露下修明年出货目标计划。美光指出因为智慧型手机出货衰退，加上英特尔处理器缺货影响PC出货，2019年资本支出将由原先预期的105亿美元下修至90亿美元，美光也将明年DRAM位元出货量目标由原本预估的20%下修至16%。

业界预期，随着三星等大厂有意控制明年位元出货量，DRAM价格可望在明年第2季逐步止跌，明年下半年价格应可回稳。南亚科虽明年获利比今年下滑，但受惠20纳米成本效益，明年获利预估仍有撑。另外，华邦电(2344)等记忆体厂明年营运获利亦无虞。

来源：时报资讯 记者/沈培华