韩专家：大陆存储芯片量产恐延至明年或更晚

2019-1-11 08:08| 查看: 38| 评论: 1|来自: 摩尔芯闻

摘要: 外界原本估计2019年是“中国记忆体元年”，中国三大记忆体厂商都将在今年投产，带动半导体产业起飞。但是美国科技禁售令和国际半导体市场低迷，重创中国。部分人士预测，陆厂量产时间将被迫延后至明年、甚至更晚。韩 ...

外界原本估计2019年是“中国记忆体元年”，中国三大记忆体厂商都将在今年投产，带动半导体产业起飞。但是美国科技禁售令和国际半导体市场低迷，重创中国。部分人士预测，陆厂量产时间将被迫延后至明年、甚至更晚。

韩媒BusinessKorea 10日报导，中国三大记忆体业者中，长江存储(Yangtze Memory Technology)主要发展NAND flash、福建晋华(Fujian Jinhua)发展服务器DRAM、合肥长鑫(Innotron)主攻行动DRAM，先前传出三厂都有望在今年投产，如今情况改变。

韩国半导体业协会(Korea Semiconductor Industry Association)执行董事Ahn Ki-hyun9日表示，企业的真正竞争实力在衰退时显露，中国芯片厂已因美国管制遭逢困难，产业低潮会让陆厂再受打击。就算中国政府不计成本发展半导体，记忆体需求放缓仍会迫使陆厂减缓投资。

Ahn并说，一旦芯片厂价格战开打，陆厂技术和成本竞争力较弱，别无选择只能蒙受巨大亏损。陆厂有朝一日会追上韩厂，但是这天来临的时间再往后延。目前以NAND flash来说，韩厂已研发出90层NAND，陆厂只有32层产品，而且因良率问题尚未量产。DRAM方面，陆厂还未准备好发布产品、量产之日仍遥遥无期。