忆芯科技NVMeSSD主控新款STAR1000P了解一下，4月可完成量产版本

继2017年底重磅发布了首款面向高端消费级和入门企业级固态存储（SSD）市场的NVMe SSD主控STAR1000后，近日北京忆芯科技有限公司（简称“忆芯”）在上海安莎国际会议中心再次重磅发布了又一款NVMe SSD主控——STAR1000P。

忆芯科技CEO沈飞

据忆芯科技CEO沈飞介绍，“STAR1000P正是研发始于2017年10月9日，其中包含了40名硬件工程师，经过286个日夜，提交310万行设计验证代码，解决了552个JIRA和66项专利。终于在2018年7月16日正式流片，并于2019年1月22日发布，将会在今年4月份完成量产版本。”

从性能上来看，忆芯科技STAR1000P的顺序读取速度达到3.6 GB/秒，顺序写入速度达到3.2GB/秒，比上一代主控STAR1000的顺序读写速度最高提升50%。同时，STAR1000P的随机读写速度达到每秒750K IOPS（读）/600K IOPS（写），比STAR1000高出120%。STAR1000P支持PCIe Gen3x4、支持NVMe 1.3协议、8个flash通道，支持最高32 TB容量的存储。其设计采用新思DesignWare® ARC HS38处理器多核结构，利用ARC可扩展架构与自定义指令集，提高硬件调度效率。

值得一提的是，在发布会现场，据Synopsys工程部门副总裁 Yankin Tanurhan博士介绍，忆芯是首个将Synopsys ARC处理器引入存储领域的公司，而基于ARC处理器架构，使其能够快速的设计迭代了新一代的芯片产品。