首款双向瞬态抑制二极管阵列可免破坏性静电放电损坏

　　Littelfuse， Inc.宣布近日推出双向瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）系列的首款产品，该系列产品旨在保护高端消费电子产品和可穿戴电子产品免因破坏性静电放电损坏。 SP1333系列中的首款瞬态抑制二极管SP1333-01UTG具有3.3V击穿电压， 采用专有硅雪崩技术，将背对背二极管组合在一起。 这种背对背配置可提供高达±30kV的ESD对称数据线保护，安全吸收反复性ESD震击，同时避免性能减退。 低钳位电压使SP1333系列能够耐受》5A的浪涌电流，为保护的电子设备延长使用寿命。

　　

　　SP1333系列瞬态抑制二极管阵列

　　SP1333系列瞬态抑制二极管阵列的典型应用包括：

　　· 手机/智能手机

　　· 便携式医疗设备

　　· MP3/PMP设备

　　· 便携式导航设备

　　· 小尺寸

　　· 平板电脑

　　· 销售点终端

　　“SP1333系列对我们采用紧凑型0201封装的瞬态抑制二极管阵列产品组合形成了补充，该产品组合现已覆盖从3.3V至36V的整个击穿电压范围。”Littelfuse瞬态抑制二极管阵列业务开发经理Tim Micun表示。 “这一产品线的增加提高了我们对市场的服务水平，使Littelfuse成为电子市场领导者的首选保护来源。”

　　SP1333系列瞬态抑制二极管阵列具有下列突出优势：

　　· 低电容（每个输入/输出端口仅为10pF）有助于保持信号完整性，并最大限度地减少数据丢失。

　　· 极低（《50nA）寄生漏电得到优化，以延长使用寿命。

　　· 通过结合高（》5A）浪涌容差和±30kV ESD保护，针对电气威胁提供更加可靠的保护。