LTC4449 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

KANA 发表于 2019-02-22 14:36:34

数据: LTC4449产品技术英文资料手册

优势和特点

  • 4V 至 6.5V VCC 工作电压
  • 38V 最大输入电源电压
  • 自适应贯通保护
  • 轨至轨输出驱动器
  • 3.2A 峰值上拉电流
  • 4.5A 峰值下拉电流
  • 8ns TG 上升时间驱动 3000pF 负载
  • 7ns TG 下降时间驱动 3000pF 负载
  • 采用单独的电源以匹配 PWM 控制器
  • 驱动双路 N 沟道 MOSFET
  • 欠压闭锁
  • 扁平 (高度仅 0.75mm) 2mm x 3mm DFN 封装

 

产品详情

LTC®4449 是一款高频栅极驱动器,专为驱动一个同步 DC/DC 转换器中的两个 N 沟道 MOSFET 而设计。强大的轨至轨驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。

LTC4449 具有一个用于输入逻辑电路的单独电源,以与控制器 IC 的信号摆幅相匹配。如果输入信号未被驱动,则 LTC4449 将启动一种停机模式,该模式把两个外部 MOSFET 全部关断。输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源可以在高出地电位达 42V 的电压条件下运行。

LTC4449 在驱动器和逻辑电源上均包含欠压闭锁电路,当出现欠压情况时,该电路将关断外部 MOSFET。LTC4449 还内置了一种自适应贯通保护功能,用于防止因 MOSFET 交叉传导电流而引起功率损耗。

LTC4449 采用 2mm x 3mm DFN 封装。

 


应用


  • 分布式电源架构
  • 高密度电源模块

 

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