从逻辑IC工艺28nm至7nm 技术迭代加快，开发成本激增

根据IC Insights的最新研究报告显示，目前IC公司提供的面向逻辑芯片工艺技术比以往任何时候都多，逻辑IC工艺技术已经取得重大进步。尽管开发成本不断增加，但IC制造商仍在继续取得巨大进步。

英特尔 - 其2018年末推出的第九代处理器名为“Coffee Lake-S”，即“Coffee Lake Refresh”。英特尔称这些处理器是新一代产品，但它们似乎更多增强了第八代产品。细节很少，但这些处理器似乎是在14nm ++工艺的增强版本上制造的，或者可能被认为是14nm +++工艺。

使用其10nm工艺的大规模生产将在2019年推出，并于2018年12月推出新的“Sunny Cove”系列处理器。看起来Sunny Cove架构基本上取代了10nm的Cannon Lake架构。预计到2020年，10nm +衍生工艺将进入批量生产阶段。

台积电 - 台积电的10nm finFET工艺于2016年底投入批量生产，但已从10纳米迅速发展至7纳米。台积电相信7nm产品将成为28nm和16nm等长寿命节点。

目前，台积电5纳米工艺正在开发中，预计将于2019年上半年进入风险生产阶段，到2020年将开始量产。该工艺将使用EUV，但它不会是台积电利用EUV技术的第一个流程。首先是该公司7nm技术的改进版本。 N7 +工艺仅在关键层（四层）上使用EUV，而N5工艺将广泛使用EUV（最多14层）。 N7 +计划于2019年第二季度投入量产。

三星 - 在2018年初，三星开始批量生产第二代10nm工艺，称为10LPP（低功率+）。在2018年晚些时候，三星推出了第三代10nm工艺，称为10LPU（低功耗终极），提供了另一项性能提升。三星采用10nm的三重图案光刻技术。与台积电不同，三星认为其10纳米工艺系列（包括8纳米衍生产品）的生命周期很长。

三星的7nm技术于2018年10月投入风险生产。该公司不再提供采用浸没式光刻技术的7nm工艺，而是决定直接采用基于EUV的7nm工艺。该公司正在将EUV用于7nm的8-10层。

GlobalFoundries  -  格芯将其22nm FD-SOI工艺视为其主要市场，并与其14nm finFET技术相辅相成。该公司称22FDX平台的性能与finFET非常接近，但制造成本与28nm技术相同。