紫光存储新调整 ,国微转让DRAM业务

“中国集成电路产业目前还非常脆弱，预计再过5年才能站稳脚跟，届时将在全球有一席之地，届时三分天下或四分天下能有其一。”紫光集团董事长赵伟国称。为了在全球集成电路产业中占据一席之地，紫光集团频频动作，持续加码存储业务，近日在南京与成都的项目新基地纷纷动工，全部建成月产能各达30万片，与武汉长江存储已形成“三箭齐发”态势。

紫光存储新调整  国微转让DRAM业务

基于紫光集团在存储领域的整体战略布局考量，紫光国微开始资产调整。紫光国微 10 月 11 日晚间公告，拟将从事 DRAM 芯片设计的全资子公司西安紫光国芯 100% 股权以 2.20 亿元转让给同集团、从事存储模组业务的北京紫光存储，这象征着紫光集团旗下资产持续进行整合，试图集中存储事业战力。

剥离紫光国芯后的紫光国微，主要产品将集中在智能安全芯片的研发领域上。

成立于 2017 年 8 月的北京紫光存储，角色偏向于存储模组厂产品的生产、研发和自有品牌销售，2018年8月携旗下8个系列的存储产品首次亮相位于美国的2018年闪存峰会。未来加入西安紫光国芯的 DRAM 设计业务，可能会朝 DRAM 产品领域着力，让整个存储产品线的布局更为完整。

而紫光国微剥离DRAM，也能够更加专注于安全芯片领域。这样对双方都比较有利，能够避免未来可能存在的竞争，战略上能统一到一起。

国内存储芯片才起步 万事起头难

然而，和NAND Flash一样，国内的DRAM之前也近乎一片空白。据集邦科技旗下的DRAMeXchange公布的2018年第二季度全球DRAM内存芯片市场的报告显示，三星以43.6%的市占率夺得第一；海力士排名第二，市占率达29.9%；美光则以21.6%的市占率排为第三。

由此可看出，三星、美光和海力士已经占据了全球95%的DRAM市场份额，国内的DRAM发展前景严峻。

日前美光科技CEO Sanjay Mehrotra接受媒体访问时直言，想晋身全球主要内存芯片供货商的门坎很高，中国内存芯片制造商日前仍对美光、 三星及SK海力士等主要厂商不构成威胁。他指出，中国厂商在开发NAND及DRAM上，仍处在“非常早期”阶段。

随着福建晋华和合肥长鑫两大阵营投入研发 DRAM 技术，若两大厂研发成功且量产，西安紫光国芯的DRAM设计实力恐与这两家再度拉大，合并紫光国芯后的紫光存储要如何进行大整合，以发挥集团的存储战力，还待时间观察。

紫光国产芯又一步 南京、成都存储器基地开工 

2018年9月30日，紫光南京半导体产业基地项目项目开工，总投资300亿美元。项目一期投资约105亿美元，月产芯片10万片，主要产品为国内长期依赖进口的3D NAND FLASH(闪存)、DRAM(动态随机存储器)存储芯片等。预估项目全部建成将可形成月产芯片30万片。

紧接着，2018年10月12日，紫光成都存储器制造基地在成都开工。据官方介绍，紫光成都存储器制造基地项目占地面积约1200亩，总投资达240亿美元，将建设12吋3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售。据悉，项目全部建成将可形成月产芯片30万片。

而此前，紫光集团董事长赵伟国曾表示，紫光计划在10年内在芯片制造领域投资超过1000亿美元，目前已筹集1800亿元人民币，其中800亿人民币投资武汉的存储工厂，并计划用另外1000亿人民币在成都、南京再建两个存储工厂。力争让中国企业进入世界内存企业的第一梯队，到2020年，计划把中国芯片制造自产率从 8%提升到40%。

随着南京、成都项目的相继开工，预示着紫光集团在芯片制造产业十年1000亿美元的投资布局计划又迈进了一步。

至此，加上2016年12月30日在武汉开工的长江存储，紫光3D存储计划三地“三箭齐发”，其存储器国产梦又进了一步。

纵观紫光集团在存储领域上的布局，紫光在存储领域正在研发128层堆栈256Gb的3D NAND，今年年底可以量产32层堆栈64Gb的3D NAND，明年将会量产64层堆栈128Gb的3D NAND，同时导入创新的 Xtacking 技术。此外，官方表示，DDR4芯片正在研发中，预计2018年底将会推向市场。