探究STM32H7芯片IAP跳转失败案例

有STM32用户反馈，他在使用STM32H750VB编写用户引导程序【BOOT CODE】和应用程序【APP CODE】。根据数据手册描述，STM32H750有128K Bytes的片内flash，地址是从0x0800 0000~~0x0801 FFFF。他将用户bootloader放在0x0800 0000~0x0800 2FFF，应用程序放在0x08003000~0x0801 FFFF。但当他按照这样的存储分配设计时，发现总是没法实现从BOOT区到APP区的跳转。

基于该用户的反馈信息，给他做了些提醒，比如中断矢量表定位问题，客户都说已经注意到了，代码应该没有问题。我这边就客户反馈的问题找了块STM32H743的板做了验证测试。发现从BOOT区到APP区的跳转并没有异常，那么客户怎么又有问题呢？

再次查看了客户邮件的反馈信息。他用的默认内部SRAM区为AXI SRAM,地址区间在0x24000000 --0x2407FFFF,即下面表格中的A区，而我使用的默认内部SRAM区是DTCM SRAM，地址区间在0x20000000 -0x2001FFFF，即下面表格中的B区。

难道是这个差别导致跳转的不同结果？当然，这两个SRAM区在使用上还是有差异的。

我尝试着将测试工程的默认SRAM区从TCM RAM也改成AXI SRAM进行测试。果真没法实现从BOOT区到APP区的跳转！看来跳转失败跟选择这个默认SRAM区有关系。也就是说当我默认使用DTCM RAM时跳转正常,如果默认使用AXI SRAM时会跳转失败。

我们知道，STM32H7系列芯片支持D-CACHE/I-CACHE。具体到这里，如果使用AXI SRAM往往会用到D-CACHE。我们的工程代码里也的确开启了D-CACHE,如果是因为这个原因，如果在做跳转操作之前关闭D-CACHE应该就能实现正常跳转。 于是对代码稍加调整，实际上也就是加了句关闭D-CACHE的代码。【红色方框处】

再次进行测试，此时即使使用AXI RAM做为默认内存空间，从用户BOOT区也能可靠跳转到APP区，完美实现。

这里涉及到STM32H7系列芯片内部不同存储区的访问特性和D-Cache相关知识，细节还是挺多的。有兴趣的话，可以自行查看相关技术手册做进一步的了解和探究。有时间，后续将在这里做进一步交流。此时分享该应用案例，一做应用提醒，二做抛砖引玉。