蚀刻机和光刻机的区别

　　最近***和蚀刻机一直都是当前最热的话题，可以说***是芯片制造的魂，蚀刻机是芯片制造的魄，要想制造高端的芯片，这两个东西都必须顶尖。

　　这俩机器最简单的解释就是***把电路图投影到覆盖有光刻胶的硅片上面，刻蚀机再把刚才画了电路图的硅片上的多余电路图腐蚀掉，这样看起来似乎没什么难的，但是有一个形象的比喻，每一块芯片上面的电路结构放大无数倍来看比整个北京都复杂，这就是这光刻和蚀刻的难度。

　　光刻的过程就是现在制作好的硅圆表面涂上一层光刻胶（一种可以被光腐蚀的胶状物质），接下来通过光线（工艺难度紫外光＜深紫外光＜极紫外光）透过掩膜照射到硅圆表面（类似投影），因为光刻胶的覆盖，照射到的部分被腐蚀掉，没有光照的部分被留下来，这部分便是需要的电路结构。

　　蚀刻分为两种，一种是干刻，一种是湿刻（目前主流），顾名思义，湿刻就是过程中有水加入，将上面经过光刻的晶圆与特定的化学溶液反应，去掉不需要的部分，剩下的便是电路结构了，干刻目前还没有实现商业量产，其原理是通过等离子体代替化学溶液，去除不需要的硅圆部分。

　　目前我国***和蚀刻机的发展很尴尬，属于严重偏科的情况，中微半导体7nm蚀刻机的量产，直接迈入世界一流行列，5nm蚀刻机也在实验阶段，而***企业不管是上海微电子的90nm***，还是无锡影速200nm***，与世界最先进的7nm制程都相去甚远，在这两条道路上，蚀刻机要再接再厉，而***则需要迎头赶上。