集成电路封装专业术语整理合集

晶圆生产的目标

晶圆术语

1.     芯片、器件、电路、微芯片或条码：所有这些名词指的是在晶圆表面占大部分面积的微芯片图形。

2.    划片线或街区：这些区域是在晶圆上用来分隔不同芯片之间的间隔区。划片线通常是空白的，但有些公司在间隔区内放置对准标记，或测试的结构。

3.    工程试验芯片和测试芯片：这些芯片与正式器件芯片或电路芯片不同。它包含特殊的器件和电路模块用于对晶圆生产工艺的电性测试。

芯片术语

下图是一个中规模（MSI）/双极型集成电路的显微照片。之所以选择这个集成等级，是为了照片上能显示出电路的具体图形。对于更高集成度的电路，它的元件非常小，以至于在整个芯片的显微照片上无法辨认。

图中芯片的特性有：

1.     双极型晶体管

2.     电路的特定编号

3.     为连接芯片与管壳而备的压焊点

4.     压焊点上的一小块污染物

5.     金属表面导线

6.     划片线（芯片间的分割线）

7.     独立未连接的元件

8.     掩模版对准标记

9.     电阻

晶圆生产的基础工艺

薄膜工艺

薄膜工艺是在晶圆表面形成薄膜的加工工艺。

各种技术用于二氧化硅层生长和各种材料的沉积。

通用的淀积技术是物理气相淀积、化学气相淀积、蒸发和溅射、分子束、外延生长、分子束外延和原子层淀积。使用电镀在高密度集成电路上淀积金属化层。

图形化工艺

图形化工艺是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去工艺。从此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去部分的可能形状是薄膜内的空或是残留的岛状部分。

图形化工艺也被未大家熟知的广掩模、掩模、光刻或微光刻。在晶圆制造过程中，晶体三极管、二极管、电容器和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成。

图形的错位也会导致类似的不良结果。图形化工艺中的另一个问题是缺陷。图形化工艺是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小尺寸小完成的。在制程中的污染物会造成缺陷。事实上由于图形化工艺在现代晶圆生产过程中要完成30层或更多，所以污染问题将会放大。