电子说
三菱电机株式会社作为为降低太阳能发电和EV用充电器等电源系统的耗电量、缩小其体积做出贡献的功率半导体新产品,对于采用了SiC※1耐压1200V的“1200V SiC-SBD※2”5型将于2019年6月开始提供样本,从2020年1月起依次发售。本产品将在“TECHNO-FRONTIER 2019 -MOTORTECH JAPAN-”(4月17日~19日于日本幕张举行),“PCIM Europe2019展”(5月7~9日于德国纽伦堡举行),“PCIM※1 Asia2019展”(6月26~28日于中华人民共和国上海举行)上展出。
※1 Silicon Carbide:碳化硅
※2 Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管
新产品的特点
1.通过采用SiC,为降低耗电量、缩小体积做出贡献
・通过使用SiC大幅降低开关损耗,降低约21%的电力损耗※3
・实现高速开关,为缩小电抗器等配套零部件的体积做出贡献
※3 与内置PFC电路的三菱电机产品功率半导体模块“DIPPFCTM”上搭载的Si(硅)二极管相比
2.通过采用JBS结构,提高可靠性
・采用pn结与肖特基结相结合的JBS※4结构
・通过JBS结构提高浪涌电流耐量,从而提高可靠性
※4 Junction Barrier Schottky
3.由5个产品构成的产品阵容可对应各种各样的用途
・除了通常的TO-247封装外,还采用了扩大绝缘距离的TO-247-2封装
除民用品外还可对应工业等各种各样的用途
・产品阵容中还包括符合AEC-Q101※5的产品(BD20120SJ),也可对应车载用途
※5 Automotive Electronics Council:车载电子零部件质量规格
发售概要
产品名
型号
封装
规格
开始提供
样品月份
发售日期
1200V
SiC-SBD
BD10120P
TO-247-2
1200V/10A
2019年
6月
2020年
1月
BD20120P
1200V/20A
BD10120S
TO-247
1200V/10A
BD20120S
1200V/20A
BD20120SJ
1200V/20A
AEC-Q101
2020年
4月
销售目标
近年来,出于节能环保的考虑,人们对能够大幅降低电力损耗或利用SiC实现高速开关的功率半导体的期待逐渐高涨。三菱电机自2010年起陆续推出了搭载SiC-SBD、SiC-MOSFET※6的SiC功率半导体模块,广泛应用于空调以及工业机械、铁路车辆的逆变器系统等,为降低家电及工业机械的耗电量,缩小其体积和重量做出了贡献。
在这一背景下,此次将发售采用了SiC的功率半导体“SiC-SBD”。在电源系统中应用“SiC-SBD”,将为降低客户的系统耗电量,缩小体积做出贡献。
本产品的开发得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。
※6 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半导体制の电界効果トランジスタ
主要规格
型号
BD10120S
BD10120P
BD20120S(J)
BD20120P
规格
1200V/10A
1200V/20A
耐浪涌电流
(绝对最大额定值)※7
95A
155A
正向电压(标准)Tj=25℃
1.35V
封装
TO-247
TO-247-2
TO-247
TO-247-2
封装尺寸
15.9 × 41.0 × 5.0mm
※7 8.3msec, sine wave
SiC-SBD系列的产品阵容
粗框内为本次的新产品。
产品名
型号
规格
封装
供应状况
电压[V]
电流[A]
SiC-SBD
BD10120S
1200
10
TO-247
自2019年6月起
开始提供样品
BD10120P
TO-247-2
BD20120S
20
TO-247
BD20120SJ
TO-247
BD20120P
TO-247-2
BD20060S
600
TO-247
正在提供样品
BD20060A
TO-263S
BD20060T
TO-220FP-2
已批量生产
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