学习隔离式反激开关电源设计

描述

课程介绍

之前我们说到了ΔI上升的斜率和上升的高度是Von来决定,下降的话当然就是由Voff来决定,以及电感量还有ton的时间来决定高度。如果这几个数值都下降的话,ΔI也会降下来,这样频率也会跌下来,L也就出来了。所以只要知道这几个数IL、Von、ton以及频率,这样就可以将L求出来了。

于是我们需要找到这样的一个关系,这个关系是所有电感都满足的一个特性。我们知道电感有一个最朴实的公式V=L*(di/dt)。从这个公式我们可以看出来,di实质上就是ΔI,也就是它的纹波,dt就是上升开通的时间。所以由这个公式我们可以转换为L=Von*ton/ΔI。

学习获得:

学习隔离式反激开关电源设计 

1、反激开关电源的设计思路,拓扑结构及原理框图讲解

2、驱动电路设计

3、经典驱动芯片UC3842 内部结构讲解

4、频率设计讲解

5、吸收电路设计及作用讲解

6、功率开关管MOSFET的开关速度,发热因素及选型讲解

7、输出电路设计

8、MOSFET选型,吸收电路器件选型,输出二极管选型,输入输出电容等重要器件参数计算。

9、电流环设计

10、电压环设计

11、经典基准电压源TL431 内部结构讲解

12、光耦的应用讲解

13、TL431、光耦组合电路参数计算。

14、EMI设计简单介绍

适宜学习人群:

1、如果你还是学生,正厌倦于枯燥的课堂理论课程,想得到电子技术研发的实战经验;

2、如果你即将毕业或已经毕业,想积累一些设计研发经验凭此在激烈竞争的就业大军中脱颖而出,找到一份属于自己理想的高薪工作;

3、如果你已经工作,却苦恼于技能提升缓慢,在公司得不到加薪和快速升迁;

4、如果你厌倦于当前所从事的工作,想快速成为一名电子研发工程师从事令人羡慕的研发类工作。

专栏课程 25个课时(点击教程即可观看)

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