FOD3184 输出电流为3A的高速MOSFET / IGBT栅极驱动光耦合器

KANA 发表于 2019-04-18 23:12:10

数据: 数据表:FOD3184CN-D.pdf

FOD3184是输出电流为3A的高速MOSFET / IGBT栅极驱动光耦合器。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管(LED)组成,该二极管与具有PMOS和NMOS输出功率晶体管集成电路功率级的CMOS感测器进行光耦合。它非常适用于等离子显示板(PDP)中使用的高频驱动的功率MOSFETS / IGBT,电机控制逆变器以及高性能的DC-DC转换器中。 >该器件封装在8引脚双列直插式外壳内,兼容260°C回流焊接工艺,符合无铅焊接的规定。
特性
  • 具有35kV /μs共模抑制特点的高抗噪能力
  • 保证工作温度范围为-40°C至100°C
  • 为中等功率的MOSFET / IGBT提供最低3A的峰值输出电流
  • 快速开关速度
  • 210ns(最大值)传播延迟
  • 65ns(最大值)脉宽失真度
  • 快速输出上升/下降时间
  • 提供较低的动态功耗
  • 250kHZ最大开关速度广泛的V
  • CC 工作电压范围,从15V至30V
  • 使用P沟道MOSFET作为输出级可使输出电压摆幅接近供电轨(轨道到轨输出)
  • 带滞后的欠压闭锁保护(UVLO) - 优化用于驱动IGBT
  • 安全和法规认证
  • 1分钟UL1577,3,750 VAC RMS
  • 最小爬电距离为8.0mm
  • IEC60747-5-2,1,414峰值工作绝缘电压(待审批)
  • 最小绝缘厚度为0.5mm
  • 最小爬电距离8.0mm(选项T )
应用
  • AC-DC商用电源
  • 发电和配电
  • 工业级电机
  • 不间断电源

电路图、引脚图和封装图




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