FGB20N60SF 600 V 20 A 2.2 V TO-247
KANA 发表于 2019-04-18 23:12:10
数据:
数据表:FGB20N60SFCN-D.pdf
飞兆半导体的场截止IGBT系列采用新型场截止IGBT技术,为光伏逆变器,UPS,焊机和PFC等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。
特性
高电流能力
低饱和电压:V
CE(sat)
= 2.2V @ I
C
= 20A
高输入阻抗
快速开关:E
OFF
= 8μJ/ A
符合RoHS标准
应用
其他工业
电路图、引脚图和封装图
技术文档
数据手册(1)
数据表:FGB20N60SFCN-D.pdf
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