FDWS9509L_F085 P沟道逻辑电平PowerTrench®MOSFET

KANA 发表于 2019-04-18 23:08:10

产品信息

FDWS9509L_F085 典型RDS（on）=6.3mΩ，VGS = -10V，ID = -65 A 典型Qg（tot）= 48 nC，VGS = -10V，ID = -65 A UIS能力符合RoHS标准符合AEC Q101要求可湿性侧翼用于自动光学检测（AOI）

数据手册（1）