FGH40T65UQDF 650 V, 40 A 场截止沟道 IGBT

安森美半导体新型场截止第 4 代 IGBT 采用创新型的场截止 IGBT 技术，可以提供优越的导通和开关性能，并且易于并联运行。
该设备非常适合谐振或软开关应用，例如感应加热、微波炉等。

• 最大结温： T
• = 175°C
• 正温度系数，易于并联运行
• 高电流能力
• 低饱和电压： V
• = 1.33 V（典型值） @ I
• = 40 A
• I
• (1)部件100%检测
• 高输入阻抗
• 快速开关
• 紧密的参数分布
• 符合 RoHS 标准