FDC6327C 双N和P沟道2.5V额定PowerTrench® MOSFET

这些N和P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件经过专门设计，能在极小的空间内实现优异的功率耗散，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装的应用。

• N沟道2.7A，20V。 R
• = 0.08Ω @ V
• = 4.5V，R
• = 0.12Ω @ V
• = 2.5V P沟道-1.6A，-20V。R
• = 0.17Ω @V
• = -4.5V，R
• = 0.25Ω @ V GS = -2.5V
• 开关速度快。
• 低栅极电荷。
• 高性能沟道技术可实现极低的R
• 。
• SuperSOT™ -6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。