MC74LVX259是一款采用硅栅CMOS技术制造的8位可寻址锁存器。
内部电路由三级组成,包括缓冲输出,提供高抗噪性和稳定输出。
LVX259专为数字系统中的通用存储应用而设计。器件有四种工作模式,如模式选择表所示。在可寻址锁存器模式下,数据输入数据被写入寻址锁存器。寻址的锁存器跟随数据输入,所有非寻址锁存器保持其先前的状态。在存储器模式下,所有锁存器都保持其先前状态,不受数据或地址输入的影响。在八分之一解码或解复用模式中,寻址输出遵循数据输入状态,所有其他输出处于低状态。在复位模式下,所有输出均为低电平且不受地址和数据输入的影响。将LVX259作为可寻址锁存器工作时,更改地址的多个位可能会产生一个瞬态错误地址。因此,这只能在存储模式下进行。
MC74LVX259输入结构可在施加高达7 V的电压时提供保护,无论电源电压如何。这允许MC74LVX259用于将5 V电路连接到3 V电路。
| 特性 |
- 高速:t PD = 7.0 ns (典型值)V CC = 3.3 V
|
- 低功耗:I CC =2μA(Max),T A = 25°
|
- 高噪声免疫:V NIH = V NIL = 28%VCC
|
- CMOS兼容输出:V OH > 0.8 V CC ; V OL <0.1 V CC @Load
|
| |
| |
| |
| |
- ESD性能:HBM> 2000 V;机器型号> 200 V
|
| |
电路图、引脚图和封装图
