产品信息
这种低阈值，增强型（常关）晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性，不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压，高击穿电压，高输入阻抗，低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值（最高-2.4V） 高阻抗 低输入电容（典型值为60pF） 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏
电路图、引脚图和封装图
