2N7002 N沟道增强模型场效应晶体管

该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗，同时提供稳固，可靠，快速的开关性能。在大部分需要高达400mA直流电流的应用，并且能够提供高达2A的脉冲电流。这款产品特别适合低压，低电流应用（如小型伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器）以及其他开关应用中。 / div>

特性
高密度单元设计可实现极低的R DS（ON）。
电压控制的小型信号开关。
坚固而可靠。
高饱和电流能力。

应用
本产品是一般用途，适用于许多不同的产品租用应用。 小型伺服电机控制 功率MOSFET栅极驱动器

电路图、引脚图和封装图