BSS138 50V N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 BSS138特别适合低压、低电流应用（如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器）以及其他开关应用中。

• 0.22 A, 50 V. R
• = 3.5 Ω @ V
• = 10 V. R
• = 6.0 Ω @ V
• = 4.5 V
• 高密度单元设计可实现极低的 R
• 。
• 坚固而可靠。
• 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。