4N30M 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M、TIL113M 6 引脚 DIP 通用光敏达灵顿光电耦合器

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。

• “对于低输入驱动电流高度敏感
• 满足或超过所有 JEDEC 寄存规格
• 安全和法规认证：
• UL1577，4170 VAC
• （1 分钟）
• DIN-EN/IEC60747-5-5，850 V 峰值工作绝缘电压”