円星科技将在台积电28奈米嵌入式闪存制程技术开发SRAM Compiler IP

***新竹 - 2019年4月17日 -全球精品硅智财开发商円星科技（M31 Technology，***股票代号： 6643）宣布，将在台积电28奈米嵌入式闪存制程技术 （TSMC 28nm Embedded Flash Process） 开发SRAM Compiler IP，这些IP解决方案将能协助设计人员提升在行动装置、电源管理、物联网，车用电子等应用的SoC功耗表现。此系列硅智财预计于今年第3季提供客户设计整合使用。

M31円星科技董事长林孝平表示，｢随着网络传输带宽的不断加大，数据运算与储存需求日增。円星科技在台积电领先业界的28奈米嵌入式闪存制程开发的IP，除了可以缩短设计周期，同时能降低SoC功耗并提高效能，可广泛应用于高速的数据处理、电源管理，物联网、车用电子，以及行动通讯等产品的设计上」。

台积电设计建构营销事业处资深处长Suk Lee表示，「嵌入式闪存技术对于支持智能行动，汽车电子和物联网等广泛应用至关重要。藉由M31与台积电28奈米嵌入式快闪制程技术努力合作开发的IP，将有助于设计人员优化SoC，实现速度，面积和功耗之间的成功平衡。」

此次M31円星科技以台积电28奈米嵌入式闪存制程技术开发的SRAM Compiler IP功能齐全，支持多种节能模式， 用户可依据不同操作状态，切换到当下最佳省电模式，来延长行动组件电池的使用时间，以提供客户更多元的产品运用。基于优异的技术特性，此系列IP可以完全整合在嵌入式闪存制程平台上，预计今年第3季提供知名国际大厂采用。

未来M31円星科技将持续投入各项先进制程技术的IP开发与验证，为全球芯片设计产业提供独特的硅智财解决方案。