SK Hynix无锡二厂竣工,晶圆产能全球第一

电子说

1.3w人已加入

描述

SK海力士在中国无锡举行了C2F仪式。C2F是C2现有的d-RAM生产线的扩展版本,SK海力士已决定在过去2016年扩大生产线,以解决由于缺乏空间技术移民的生产问题。无锡市委市政府领导、SK Hynix CEO李锡熙、韩国驻上海总领事崔泳杉等人出席了竣工仪式。

SK海力士于2004年与中国江苏省无锡市签订合同,在当地建立制造工厂,并于2006年完成生产线(C2),开始生产DRAM。C2是公司首款300mm FAB工厂,在SK海力士DRAM业务发展中发挥了重要作用。但随着技术的扩展,工艺技术难度增加,设备变得越来越大,导致洁净室空间不足。因此,SK海力士于2017年6月至2019年4月投资建厂,以确保增加生产空间。

C2F是一个单层FAB厂房,建筑面积58000平方米,建筑规模与现有的C2 FAB厂房相似。SK海力士已完成了部分C2F洁净室的建设,安装设备后将开始生产DRAM,也会根据市场情况灵活确定额外洁净室建设和设备安装的时间。

无锡FAB工厂负责人Kang Young Soo表示,通过完成C2F厂房的建设,将能确保SK海力士无锡FAB的中长期竞争力。通过将C2F和C2作为一个FAB运营,我们将最大限度地提高无锡FAB工厂的生产和运营效率。”

SK Hynix无锡二厂达产之后,月产能将达到18万片12英寸晶圆,年销售额预计为83亿美元,这将是全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10纳米级DRAM产品生产基地,可将SK Hynix在中国DRAM市场上的份额从目前的35%提升到45%的水平。

三星专注于提高核心技术,已宣布在平泽厂规模量产12GB LPDDR4X,2019下半年将增加3倍的供应量,还率先进入1znm技术,下半年量产8Gb DDR4,生产率可提高20%以上。美光也将在2019下半年持续增加1ynm产量,同时送样下一代1znm新技术产品。

面对竞争对手的频频动作,尤其是三星率先进入1znm DRAM工艺,给SK海力士带来了不少的压力,SK海力士1ynm DRAM将在2019年开始供货,成功开发出的1ynm 16Gb DDR5,传输速率比上一代的3200Mbps快约60%,计划将于2020年大规模量产。

SK海力士DRAM生产基地除了中国无锡工厂,韩国利川也是重要的生产基地,而且正在新建M16工厂,可能将用于生产DRAM,或者跟M14一样是生产NAND Flash和DRAM的混合工厂,将视未来需求而定。

SK Hynix无锡二厂宣布开工正是DRAM内存价格高涨的时候,不过时至今日DRAM内存价格江河日下,18万片/月的产能对内存市场的供应来说影响可不小,尽管现在还不会立即达到目标产能,但是无锡工厂的产能大增对全球DRAM内存价格可能是雪上加霜,导致DRAM内存价格持续下滑。

由于智能型手机、PC、数据中心等市场需求放缓,使得DRAM市场供过于求,从2018年开始DRAM市场价格也一直在下滑。

虽然SK海力士C2F厂增加产能对于目前供过于求的DRAM市场不利,恐对市场价格再次冲击,但面对三星、美光等竞争对手,提高DRAM在市场上的竞争力是必要的。众人皆知三星、SK海力士、美光是DRAM市场主要芯片供应商,面对低迷的DRAM市况,理应采取措施应对。其中为了平衡DRAM市场供需,美光还决定减产Wafer产出量。当然,对消费者来说,DRAM内存降价就不是什么坏事了,8GB内存单条跌倒200元是很多人都在期待的好事。

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分