现在是出现非易失性存储的时候了

到目前为止，新兴的非易失性存储器(eNVM)，如自旋转矩磁阻RAM(STT-MRAM)、可变电阻式存储器(ReRAM) 和相变存储器(PCM)，由于可扩展性差、成本高以及缺乏主要内存制造商的支持，大多局限于利基市场。然而，2017年英特尔推出的基于3D XPoint(由Micron和Intel联合开发的技术)的光学产品可以被视为在主流应用中采用新兴NVM的决定性时刻。

在独立业务中，由于越来越多地采用3D XPoint作为企业和客户端存储类内存(SCM)，PCM是领先的新兴技术。在这方面，英特尔在IDM中有着独特的地位：它是一个独立的内存供应商和CPU领导者，它可以将其新的持久内存模块(OptanDIMMS)与新一代的Xeon处理器(即Cascade Lake)结合起来，它将充当特洛伊木马，将3D XPoint引入数据中心技术市场，从而提升其销量。值得注意的是，三星、东芝和西部数据通过开发基于3D NAND的SCM解决方案，如Z-NAND(三星)、XL-Flash(东芝)和低延迟(LL)Flash(西部数字)，走了一条不同的战略道路。然而，这些技术将用于企业SSD，因此将不会与Intel的新OptanDIMM(不久将在全球上市)竞争，我们预计它将占整个3D XPoint销售额的50%以上。

与独立市场相比，嵌入式eNVM市场相对较小，仅占eNVM市场总量的2%左右。2018年，由于基于低密度ReRAM的MCU(即松下)的销售，嵌入式ReRAM贡献了大部分收入。然而，所有的顶级铸造厂都采用了28/22 nm工艺的STT-MRAM，而RRAM则遇到了一些延迟。STT-MRAM在MCU、SoC和其他ASIC/ASSP产品中的应用正获得强劲的势头。最近，三星开始了28 nm嵌入式STT-MRAM的商业化生产，并宣布计划在2019年年底前将1GB的测试芯片带出。同时，英特尔已经证实，其嵌入式STT-MRAM已经达到了适合大规模生产的高产量。此外，嵌入式PCM还没有脱离竞争——ST目前正在为汽车工业开发基于PCM的MCU。事实上，预计2019年将有丰富的eNVM新事件和新发展。

来源：Simone Bertolazzi，Yole Développement技术和市场分析师

编译：南山