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5月2日消息,在本周的季度收益电话会议上,台积电方面透露,该公司预计其大部分7nm“N7”工艺客户最终将转型至其即将推出的6nm“N6”工艺制造节点。即将到来的“N6”工艺节点将使用与“N7”节点相同的设计规则,使客户更容易转换到更新,更密集的节点。而且,如果台积电的预测成真,N6毫无疑问将成为台积电下一个广泛使用,长期服务的流程节点。
此前有消息报道,台积电的N6工艺技术采用极紫外光刻(EUVL),通过减少多图案化所需的曝光次数来降低制造复杂性(目前需要这种曝光,因为TSMC的N7仅使用DUV光刻)。台积电没有明确说明在N7+或N6上有多少层使用EUVL,但已经证实后者与前者相比增加了一个额外的EUVL层。
虽然台积电的N6采用新的生产设备,晶体管密度比N7制造技术高出18%,但N6采用与N7相同的设计规则,使芯片设计人员能够重复使用相同的设计生态系统(例如工具等) ,这将使他们降低开发成本。相比之下,N7+使用不同的设计规则,但与N7相比,它还提供了比N6更多的优势。
虽然台积电的合作伙伴采用了N7和N7+两种工艺,并且全球最大的芯片合约制造商预计这两种技术在2019年将占其晶圆收入的25%以上,但前者看起来比后者更受欢迎。与此同时,台积电预计今天使用N7的大多数客户将转向N6,然后转向N5跳过N7+。考虑到N7的普及程度,N6也可能会非常受欢迎。
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