4N60器件的特性分析

UTC 4N60是一个高电压MOSFET ，并设计成有更好的特性，如快速开关时间，低门电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩的特点。这个功率MOSFET通常用在高速开关电源中的应用， PWM马达控制，高高效率的DC -DC转换器和电桥电路。4n60一般有耗尽型和强化型两种。
 

特征：

1、4A，600V， RDS（on）=2.5Ω@Vgs=10V

2、极低栅电荷，典型15nC

3、极低反向转换电容；典型8pF

4、快速开关能力

5、增强的dV/di能力

6、100%雪崩击穿测试

7、封装型式：TO-220/TO-220F

8、最大结温 150 ℃

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