晶体管教程要点及区别

我们可以总结一下这个晶体管教程部分的主要内容如下：

研究了NPN和PNP双极结晶体管（BJT）以及场效应晶体管的结构和操作（FET），结和绝缘栅，我们可以总结这些晶体管教程的要点，如下所述：

双极结型晶体管（BJT）是一种三层器件，由两个连接在一起的半导体二极管结构成，一个正向偏置，一个反向

有两种主要类型的双极结型晶体管，（BJT） NPN 和 PNP 晶体管。

双极结晶体管是“电流操作设备”，其中 Base 电流小得多，导致发射器更大到收集器电流，它们本身几乎相等，流动。

晶体管符号中的箭头表示传统的电流。

最常见的晶体管连接是公共发射极（CE）配置，但公共基极（CB）和公共集电极（CC）也可用。

需要偏置电压用于交流放大器操作。

基极 - 发射极结是alwa ys正向偏置，而集电极 - 基极结总是反向偏置。

晶体管中流动电流的标准公式如下： I E = I B + I C

收集器或输出特性曲线可用于查找 Ib ， Ic 或β，可以构造负载线以确定合适的工作点， Q 基极电流的变化决定了工作范围。

晶体管也可用作其饱和区和截止区之间的电子开关，以控制诸如灯具，电机和螺线管等。

直流电机，继电器和螺线管等感应负载需要在负载两端放置一个反向偏置的“飞轮”二极管。这有助于防止负载切换到“OFF”时产生的任何感应反电动势，从而损坏晶体管。

NPN晶体管要求 Base 更正比 Emitter 而PNP类型要求 Emitter 比 Base 更积极。

场效应晶体管教程

场效应晶体管，或FET是“电压操作设备“并且可以分为两种主要类型： Junction-gate 设备，称为 JFET的和绝缘门设备，称为 IGFET 或更常见的 MOSFET 。

绝缘栅器件也可以细分进入增强类型和耗尽类型。所有形式均提供N沟道和P沟道版本。

FET具有非常高的输入电阻，因此很少或没有电流（MOSFET类型）流入输入端子理想的用作电子开关。

由于绝缘氧化层，MOSFET的输入阻抗甚至高于JFET的输入阻抗，因此静电很容易损坏MOSFET器件处理它们时需要采取这些措施。

当增强型FET的栅极没有施加电压时，晶体管处于“关闭”状态，类似于“开关”。 / li>

当没有电压施加到栅极时，耗尽型FET具有固有导电性并处于“导通”状态，类似于“闭合开关”。

与双极结晶体管相比，FET具有更高的电流增益。

最常见的FET连接是公共源（CS）配置但是还提供公共栅极（CG）和公共漏极（CD）配置。

MOSFETS可用作理想开关，因为它们具有非常高的通道“OFF”电阻，低“ON”

要将N沟道JFET晶体管“关断”，必须向栅极施加负电压。

转向在P沟道JFET晶体管“OFF”时，必须向栅极施加正电压。

当施加负电压时，N沟道耗尽MOSFET处于“OFF”状态

P沟道耗尽MOSFET，当向栅极施加正电压以产生耗尽区时，它们处于“OFF”状态。 / li>

当向栅极施加“+ ve”（正）电压时，N沟道增强型MOSFET处于“ON”状态。

当“-ve”（负）电压时，P沟道增强MOSFET处于“ON”状态应用于门。

场效应晶体管图

结型场效应晶体管（JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）配置的栅极偏置如下：

FET和双极晶体管之间的区别

场效应晶体管可用于取代电子电路中的普通双极结型晶体管，并简单比较FET和晶体管，说明它们的优点和它们的缺点如下：

下面是一系列互补双极晶体管，可用于低电流继电器的通用开关，驱动LED和灯，以及放大器和振荡器应用。

互补NPN和PNP晶体管