华为控制器芯片的迭代发展历程

众所周知，大脑是人体神经系统中最高级的部分，支配着人体的一切生命活动。那么对于固态硬盘 SSD 来说，什么才是 SSD 的「大脑」呢？答案就是控制器芯片。

控制器是一种嵌入式处理器芯片，其功能是 SSD 的中央处理器，处理并下达所有 SSD 部件的操作命令，不仅包含数据读取、数据写入、执行垃圾回收（碎片整理）等基本功能，还包含磨损均衡、SLA 等高级特性，以保证 SSD 的高性能、高可靠性，因此，主控芯片就是 SSD 的「大脑中枢」。

今天与大家进一步分享华为 SSD 的「大脑中枢」— 控制器芯片的迭代发展历程。

华为在 2010 年启动第一代 SSD 控制器 Hi1811 的设计开发，并于 2011 年推出业界领先的 SAS 6G 接口的企业级 SSD 产品，性能相比 SATA 和 SAS 3G 提升近一倍，大大提升了系统级的 IOPS。

第二代 华为 SSD 控制器 Hi1811D

2013 年，华为自研第二代 SSD 控制器芯片 Hi1811D，支持 SAS 6G 接口和 2D SLC（Single-Level Cell 单层存储单元）/ MLC（Multi-Level Cell 多层存储单元）颗粒，采用最新的 BCH①纠错算法实现更多比特位数的纠错能力，同时支持 400GB/600GB 容量规格。通过先进的技术能力和高可靠性，满足市场对于 SSD 取代 SAS HDD 高性能盘的趋势，达成客户对于业务性能提升的多种诉求。

①注：BCH 取自 Bose、Ray-Chaudhuri 与 Hocquenghem 的缩写，是编码理论尤其是纠错码中研究得比较多的一种编码方法。

第三代 华为 SSD 控制器 Hi1812

2015 年，华为自研第三代 SSD 控制器芯片 Hi1812，支持 SAS 12G 和 PCIe3.0，支持 2D 和 3D MLC，配套发布 ES3000 V3 系列产品，成为业界最快 NVMe SSD——3.2GB/s 顺序读带宽、80 万随机读 IOPS。

第四代 华为 SSD 控制器 Hi1812E V100

2017 年，华为自研第四代也是最新一代的智能 SSD 控制器芯片 Hi1812E V100，并于 2018 年配套 ES3000 V5 系列产品上市，支持 SAS 12G 和 PCIe3.0，支持 3D TLC。 

ES3000 V5 产品亮点：

✦更快：新一代自研 ASIC SSD 控制器，采用 16 纳米制程工艺，同时支持 PCIe/SAS 双模。性能业界领先，可提供最快高达 3.5GB/s 和 3.2GB/s 顺序读写带宽、82.5 万和 30 万随机读写 IOPS、14μs 的超低写时延； 

✦更智能：支持 PCIe 热插拔，智能多流、原子写、智能调度 QoS（Quality of Service），通过支持多种关键技术应用，可提高硬盘性能 15%，比普通硬盘寿命可延长 20% ，同时还支持智能监控管理、智能维护、智能业务支撑，让运维更高效、更省心；

✦更简单：针对客户多元化业务诉求，提供应用配置参考架构，省去痛苦选型，所得即为所需，轻松支持业务增长需求；

随着数据的快速增长，如何更好的存储、管理和利用数据是大家共同关注的话题。多年来，华为一直致力于存储新技术的开发应用。目前，华为最新一代 SSD 控制器芯片正在紧锣密鼓的研发中。

高性能、高可靠、高质量！通过对 SSD 控制器的不断迭代研发，华为旨在为用户提供更多的创新存储技术和解决方案，让业务应用和体验变得更加智能、简单！