设计一个光耦电路是很简单的,但是要实现一个可靠的,无故障的设计,还是需要考虑很多方面的。首先,原理图设计会明确指出电源电压为5.0V和3.3V,但是实际情况会有所偏差。需要了解的是偏差会有多大。假设电源偏差在±10%之内,这意味着电压可以低至4.5V和3.0V。
首先计算输入电阻值,即R1。需要为发光二极管选择一个合适的IF 。一般设置5mA作为一个安全值,这样不会导致过载或者使发光二极管老化过快。
根据PS8902数据表,发射极的VF可高达1.85V。因为没有设置IF=16mA,所以实际的VF值会比较小,但这里仍然采用1.85V是为了安全以及有足够的余量。
可用于驱动发射极的电压为电源电压减去发射极正向电压(VF),在这种情况下的VF假设为0,这样就能足够接近FET的驱动电压。
(标准值)
发射极电流(5mA)通过电流传输比(CTR)耦合输出。
数据表显示,CTR可低至15%。
这表明5mA发射极电流可低至750μA。
CTR随时间的推移而衰减。衰减幅度取决于使用环境以及驱动发射器的程度(本示例中,对其驱动程度不是很高)。保守估计,衰减幅度为每年2%。对于此示例,假设该设计的预期运行寿命为10年;则10年内每年降低2%,会使输出电流从750μA变为610μA。
面对的挑战是确保逻辑门识别ON状态,这表示逻辑门电压必须低于低VCC的30%或0.9V。
610μA电流通过R2,栅极输入端需要小于0.9V的电压,这需要在R2产生2.1V压降。
在确定这个设计之前,先检查一下。需要确保检测晶体管中的漏电流,在R2上产生电压压降后,提供给栅极的电压仍将被检测为逻辑高电平。
流过R2的500nA只产生1.7mV的压降,因此保持栅极电压高于2.52V没有问题。
关于我们
瑞萨电子株式会社 (TSE: 6723) ,提供专业可信的创新嵌入式设计和完整的半导体解决方案,旨在通过使用其产品的数十亿联网智能设备改善人们的工作和生活方式。作为全球领先的微控制器供应商、模拟功率器件和SoC产品的领导者,瑞萨电子为汽车、工业、家居、办公自动化、信息通信技术等各种应用提供综合解决方案,期待与您携手共创无限未来。更多信息,敬请访问 renesas.com。
长按二维码关注瑞萨电子(Renesas)
点击下方“阅读原文”,了解更多精彩内容!
原文标题:芯文芯事丨如何挑选用于PS8902光电耦合器电路的电阻
文章出处:【微信公众号:瑞萨电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !