赛灵思宣布，在其发展蓝图上新增存储器带宽快车道

赛灵思 5 月 27 日宣布， 在其 UltraScale+ 全可编程器件发展蓝图上新增 存储器带宽快车道 （Xilinx 扩大 16nm UltraScale+ 产品路线图为数据中心新增加速强化技术）。这种新型高速路由将 3D HBM（高带宽存储器）DRAM、大规模并行高带宽接口 和 赛灵思最先进的 16nm UltraScale+ All Programmable 芯片 完美集成在台积公司 (TSMC) 和赛灵思联合开发的 3D CoWoS 硅中介层 (3D on 3D) 上。赛灵思支持 HBM 的 UltraScale+ FPGA 结合台积公司 (TSMC) CoWoS 硅中介层的高密度高性能互联技术，能实现高达 Tbps 级的带宽性能，相对于独立封装的 FPGA 和 SDRAM 而言，存储器带宽可提升高达 10 倍。将存储器带宽提升 10 倍的赛灵思加速增强型 16nm All Programmable 器件，将能够满足数据中心应用（尤其是云计算）的处理及存储器带宽要求。当日宣布的信息指出：“赛灵思已经在同业界领先的超大规模数据中心客户协作，共同打造优化配置和产品。”

下面披露一些有关 HBM 和台积公司 (TSMC) / 赛灵思联合开发的硅中介层的技术细节

维基百科（Wikipedia）信息显示，最初版 HBM 是 3D 协议栈 DRAM 器件阵列，由 AMD 和 SK Hynix 联合开发，并于 2013 年成为 JEDEC 标准。将单位引脚的存储器传输速率翻了一番的 HBM2 于2016 年 1 月成为 JEDEC 标准。三星仅在几天后就宣布早期量产 HBM2 器件，而 SK Hynix则于 2016 年 3 月对 HBM2 器件进行了演示。所以 HBM 已经非常现实了。

SK Hynix HBM2提供的幻灯片对 HBM1 和 HBM2 进行了比较：

图1：SK Hynix对 HBM1 和 HBM2 进行了对比

HBM 3D存储器协议栈包括多个存储器芯片和可选基础逻辑芯片，它们通过硅通孔(TSV)连接在一起。一个 HBM 2 协议栈的存储器带宽据说超过 1Tbps，多个协议栈可集成到一个器件中。

下面这张幻灯片对初始版 HBM 和 DDR3 SDRAM 进行了对比（摘自 2014 年热芯片大会上的 SK Hynix 演示）：

图2：HBM 和 DDR3 比较，来自“HBM：适用于高带宽要求处理器的存储器解决方案” Joonyoung Kim和 Younsu Kim 在 2014 年热芯片大会上的演示

您可看到，初始版 HBM 的存储器带宽相对于 DDR3 SDRAM 存储器 Bank 而言提升了 10 多倍。

台积公司 (TSMC) 和赛灵思联合开发的 3D硅中介层技术现已正式称为 CoWoS，并赢得北美 2013 年 SEMI 两项大奖之一。SEMI 是“服务于微电子和纳米电子产业生产供应链的全球产业协会”。

赛灵思基于 CoWoS 硅中介层技术的 16nm 器件是第三代 3D 器件。赛灵思第一代 3D 器件包括一系列基于 28nm 技术的 Virtex-7 FPGA：

Virtex-7 2000T All Programmable 3D IC：全球首款 3D FPGA，单个器件封装，含有5 万个逻辑单元。

Vrtex-7 H580T：全球首款异构 3D FPGA，采用 8 个 28Gbps收发器。

Virtex-7 H870T：全球第二款异构3D FPGA，采用 16 个 28Gbps 收发器，支持 400GE线路卡。

赛灵思第二代 3D 器件包括基于台积公司(TSMC) 20nm 芯片技术、采用 440 万个逻辑单元的 Virtex UltraScale VU440 3D FPGA。

今天宣布的消息称赛灵思将扩展 3D 技术到16nm UltraScale+ 器件系列。您或许已经想到了，由于这是第三代技术，而且已经有两代器件多批次投产供货为基础，因此

CoWoS 是非常牢靠的产品，而且也得到很好的了解和认知。