AFBR-S4N66C013 NUV-HD单硅光电倍增器

KANA 发表于 2019-07-04 13:09:00

描述

Broadcom® AFBR-S4N66C013是一款单硅光电倍增管（SiPM），用于单光子的超灵敏精密测量。

有效面积为6.14倍; 6.14 mm ²。使用穿硅通孔（TSV）技术实现单个芯片的高封装密度。通过将多个AFBR-S4N66C013芯片平铺到阵列中可以覆盖更大的区域，几乎没有任何边缘损耗。保护层由高度透明的玻璃制成，直至紫外波长，在可见光谱中产生广泛响应，对光谱的蓝光和近紫外区域具有高灵敏度。

特征

420 nm时的高PDE超过55％
高填充因子
优异的SPTR和CRT
优异的均匀性击穿电压
增益均匀性
采用TSV技术（4面可用）
尺寸6.14 × 6.14 mm ² n细胞间距30次; 30微米²
高度透明的玻璃保护层
工作温度范围从– 40°C到+ 85°C
符合RoHS和REACH

应用

X射线和伽马射线检测
伽玛射线光谱
安全性
核医学
正电子发射断层扫描
生命科学n流式细胞术
荧光–发光测量
时间相关单光子计数
高能物理学
天体物理学

技术文档

数据手册（1）

AFBR-S4N66C013：NUV-HD单硅光电倍增器