HCPL-3180 2安培输出电流，高速IGBT / MOSFET栅极驱动光电耦合器

描述

该系列栅极驱动光电耦合器具有GaAsP LED。 LED光耦合到具有功率级的集成电路。这些光电耦合器非常适用于等离子显示器面板，高性能DC / DC转换器和电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET的高频驱动。

功能

• 2A最小峰值输出电流
• 250 KHz最大切换速度
• 高速度响应：最大200 ns传播延迟随温度变化范围
• 10 KV / us Vcm = 1500 V时的最小共模抑制（CMR）
• 具有滞后的欠压保护（UVLO）
• 宽工作温度范围：-40摄氏度至100摄氏度
• 宽Vcc工作范围：
  10 V至20 V
• 20 ns （典型值）。脉冲宽度失真
• 安全认证：
  UL批准等待3750 Vrms 1分钟
  CSA批准
  DIN EN 60747-5-2批准待审

应用

• 等离子显示面板（PDP）
• 分布式电源架构（DPA）
• 开关模式整流器（SMR）
• 高性能DC / DC转换器
• 高性能开关电源（SMPS）
• 高性能不间断电源（UPS）
• 隔离IGBT /功率MOSFET栅极驱动