描述
293BN系列是单模边缘发射激光二极管芯片,CWDM波长范围为1270 nm至1330 nm,适用于高达10.3 Gb / s的非制冷应用。该设计是在n型衬底上生长的带帽的台面掩埋异质结构(CMBH),具有多量子阱(MQW)有源层和分布反馈(DFB)光栅层。刻面在前刻面上涂有抗反射层,在后刻面上涂有高反射涂层。在p侧和n侧都提供金焊盘。出于识别目的,芯片两侧都会出现一个十六进制数字。所有激光芯片都来自已经使用代表性批量设备进行认证的晶圆,这些设备必须达到可接受的老化和其他多温度,CW和动态测试的产量。每个装运的裸片都在25摄氏度下进行全面测试。这些裸片与Broadcom元件级产品中使用的裸片相同。
特性
- 低阈值电流
- 高输出功率
- 近圆形光束模式
- 可接合的结合或结合
- 久经考验的现场可靠性历史悠久
- 极高的可靠性设计,包括高质量的MOCVD外延
- 获得专利的低穿透,欧姆p接触设计
- 获得专利的接合侧焊盘,可提供焊料渗透屏障
- 专利的密封小面涂层
- Telcordia GR-468的合格性
- 工作温度:< 25至+ 85°C
- CWDM波长(1.27μm至1.33μM)。米)
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