一些模拟电子技术的基础知识

一、结构及类型

半导体按材料主要可分为硅管和锗管，其结构如下图示（箭头方向即为电流方向）

二、伏安特性

其伏安特性曲线如下图示，

正向特性：1. 死区电压大小与材质有关，其中Si是0.5V,Ge是0.1V

正向管压降：Si是0.7V，Ge是0.3V

反向特性：IuI

IuI>u(击穿），i反向增大

三、产生击穿原理

条件：半导体的掺杂浓度高，空间电荷区有较强电场，其类型可分为齐纳和雪崩齐纳特点：击穿电压低于4V,击穿电压具有负的温度系数（即温度越高，所需电压越小）雪崩特点：IuI>6V,具有正的温度系数         四、温度对性能影响1.温度升高，死区电压、正向管压降下降2.温度升高，少子浓度增大，反向饱和电流增大
       五、常用线性模型1.理想模型：U>0,D导通，两端电压看做0V，视为短路 U<0,D截止，Id=0A(此电流是二级管上的电流，用Id表示）,视为开路2.恒压模型：U>Uf,D导通，Ud=Uf,D视为恒压源（Uf）U

六、特种二级管（即稳压二极管），曲线图如下示

特点：击穿可逆，工作于反向击穿区电参数：稳定电压Uz 动态电阻Rz=Uz的变化量/Iz的变化量 最大允许工作电流Izm 最大允许功率耗散Pzm七、理想稳压管1.U>0,Dz导通，视为短路2.U