特征频率(fT) ：
50MHz
集电极截止电流 (Icbo) ：
100nA
湿气敏感性等级 (MSL) ：
1（无限）
晶体管类型 ：
PNP
集射极击穿电压Vceo ：
80V
DC电流增益(hFE) ：
50~250
集电极电流 Ic ：
3A
Vce饱和压降 ：
1.7V
功率耗散 ：
12.5W
跃迁频率 ：
50MHz
工作温度 ：
-65℃~+150℃
安装类型 ：
插件
封装/外壳 ：
TO225
配置 ：
单路
集射极饱和电压(VCE(sat)) ：
80V
发射极与基极之间电压 VEBO ：
7V
集电极-基极电压（VCBO） ：
100V
引脚数 ：
3Pin
高度 ：
13.64mm
长x宽/尺寸 ：
7.60 x 2.70mm
存储温度 ：
-65℃~+150℃
元件生命周期 ：
Active
印字代码 ：
JE172
原产地 ：
America
原始制造商 ：
ON Semiconductor Inc.
是否无铅 ：
Yes
零件状态 ：
Active
通用三极管 PNP Ic=3A Vceo=80V hfe=50~250 P=12.5W TO225
MJE172G由ON设计生产。MJE172G封装/规格：特征频率(fT)/50MHz：集电极截止电流 (Icbo)/100nA：湿气敏感性等级 (MSL)/1（无限）：晶体管类型/PNP：集射极击穿电压Vceo/80V：DC电流增益(hFE)/50~250：集电极电流 Ic/3A：Vce饱和压降/1.7V：功率耗散/12.5W：跃迁频率/50MHz：工作温度/-65℃~+150℃：安装类型/插件：封装/外壳/TO225：配置/单路：集射极饱和电压(VCE(sat))/80V：发射极与基极之间电压 VEBO/7V：集电极-基极电压（VCBO）/100V：引脚数/3Pin：高度/13.64mm：长x宽/尺寸/7.60 x 2.70mm：存储温度/-65℃~+150℃：元件生命周期/Active：印字代码/JE172：原产地/America：原始制造商/ON Semiconductor Inc.：是否无铅/Yes：零件状态/Active：，通用三极管 PNP Ic=3A Vceo=80V hfe=50~250 P=12.5W TO225。你可以下载MJE172G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
