配置 ：
单路
漏源电流(Idss) ：
80A
晶体管类型 ：
N沟道
功率耗散 ：
125W
充电电量 ：
42nC
栅极源极击穿电压 ：
±20V
击穿电压 ：
100V
无卤 ：
Yes
极性 ：
N-沟道
元件生命周期 ：
Active
存储温度 ：
-55℃~+175℃
引脚数 ：
3Pin
高度 ：
2.41mm
长x宽/尺寸 ：
6.73 x 6.22mm
认证信息 ：
RoHS
印字代码 ：
082N10N
原产国家 ：
Germany
原始制造商 ：
Infineon Technologies
类型 ：
1个N沟道
是否无铅 ：
Yes
零件状态 ：
Active
阈值电压 ：
2.7V
导通电阻(RDS(on) ：
8.2mΩ@10V,73A
漏源电压(Vdss) ：
100V
工作温度 ：
-55℃~+175℃
连续漏极电流 ：
80A
Vgs(Max) ：
±20V
输入电容(Ci) ：
2.99nF
反向传输电容Crss ：
21pF
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
TO-252(DPAK)
最佳3功率晶体管
IPD082N10N3G由Infineon设计生产。IPD082N10N3G封装/规格：配置/单路：漏源电流(Idss)/80A：晶体管类型/N沟道：功率耗散/125W：充电电量/42nC：栅极源极击穿电压/±20V：击穿电压/100V：无卤/Yes：极性/N-沟道：元件生命周期/Active：存储温度/-55℃~+175℃：引脚数/3Pin：高度/2.41mm：长x宽/尺寸/6.73 x 6.22mm：认证信息/RoHS：印字代码/082N10N：原产国家/Germany：原始制造商/Infineon Technologies：类型/1个N沟道：是否无铅/Yes：零件状态/Active：阈值电压/2.7V：导通电阻(RDS(on)/8.2mΩ@10V,73A：漏源电压(Vdss)/100V：工作温度/-55℃~+175℃：连续漏极电流/80A：Vgs(Max)/±20V：输入电容(Ci)/2.99nF：反向传输电容Crss/21pF：安装类型/SMT：封装/外壳/TO-252(DPAK)：，最佳3功率晶体管。你可以下载IPD082N10N3G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
