待机电流（Max） ：
1μA
湿气敏感性等级 (MSL) ：
3（168 小时）
存取时间 ：
-
接口类型 ：
SPI-四I/O
数据保留 - TDR(年) ：
20年
写周期寿命 ：
100000次
页写入时间(Tpp) ：
3ms
引脚数 ：
8Pin
元件生命周期 ：
Active
存储温度 ：
-40~+85℃
零件状态 ：
Active
系列 ：
W25Q64JV
是否无铅 ：
Yes
存储器类型 ：
非易失
存储器格式 ：
闪存
技术 ：
FLASH-NOR
存储容量 ：
64Mb
长x宽/尺寸 ：
5.28 x 5.28mm
高度 ：
2.16mm
最大时钟频率 ：
133MHz
写周期时间(Tw) ：
3ms
工作电压（范围） ：
2.7V~3.6V
工作温度 ：
-40℃~+85℃
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
SOIC8_208MIL
FLASH存储器 SPI 64Mbit 133MHz 2.7V~3.6V
W25Q64JVSSIQ由Winbond设计生产。W25Q64JVSSIQ封装/规格：待机电流（Max）/1μA：湿气敏感性等级 (MSL)/3（168 小时）：存取时间/-：接口类型/SPI-四I/O：数据保留 - TDR(年)/20年：写周期寿命/100000次：页写入时间(Tpp)/3ms：引脚数/8Pin：元件生命周期/Active：存储温度/-40~+85℃：零件状态/Active：系列/W25Q64JV：是否无铅/Yes：存储器类型/非易失：存储器格式/闪存：技术/FLASH-NOR：存储容量/64Mb：长x宽/尺寸/5.28 x 5.28mm：高度/2.16mm：最大时钟频率/133MHz：写周期时间(Tw)/3ms：工作电压（范围）/2.7V~3.6V：工作温度/-40℃~+85℃：安装类型/SMT：封装/外壳/SOIC8_208MIL：，FLASH存储器 SPI 64Mbit 133MHz 2.7V~3.6V。你可以下载W25Q64JVSSIQ中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FLASH存储器详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
