配置 ：
单路
栅极电荷(Qg) ：
6.1nC
Vgs(Max) ：
±20V
工作温度 ：
-55℃~+150℃(TJ)
晶体管类型 ：
N沟道
功率耗散 ：
1.09W
充电电量 ：
2.1nC
反向传输电容Crss ：
13pF
栅极源极击穿电压 ：
±20V
击穿电压 ：
60V
极性 ：
N-沟道
存储温度 ：
-55℃~+150℃
引脚数 ：
3Pin
高度 ：
1.12mm
长x宽/尺寸 ：
3.04 x 1.40mm
原产国家 ：
China Taiwan
原始制造商 ：
VBsemi Electronics Co. Ltd
输入电容 ：
180pF
漏源电压(Vdss) ：
60V
连续漏极电流 ：
3.1A
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
SOT-23
导通电阻(RDS(on) ：
86mΩ
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
SI2310由VBsemi设计生产。SI2310封装/规格：配置/单路：栅极电荷(Qg)/6.1nC：Vgs(Max)/±20V：工作温度/-55℃~+150℃(TJ)：晶体管类型/N沟道：功率耗散/1.09W：充电电量/2.1nC：反向传输电容Crss/13pF：栅极源极击穿电压/±20V：击穿电压/60V：极性/N-沟道：存储温度/-55℃~+150℃：引脚数/3Pin：高度/1.12mm：长x宽/尺寸/3.04 x 1.40mm：原产国家/China Taiwan：原始制造商/VBsemi Electronics Co. Ltd：输入电容/180pF：漏源电压(Vdss)/60V：连续漏极电流/3.1A：安装类型/SMT：封装/外壳/SOT-23：导通电阻(RDS(on)/86mΩ：，MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23。你可以下载SI2310中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
