晶体管类型 ：
2个N沟道(双)
功率耗散 ：
380mW
充电电量 ：
-
栅极源极击穿电压 ：
±20V
极性 ：
N-沟道
引脚数 ：
6Pin
高度 ：
1.10mm
长x宽/尺寸 ：
2.20 x 1.35mm
类型 ：
1个N沟道
阈值电压 ：
2V
导通电阻(RDS(on) ：
7.5Ω@10V,500mA
漏源电压(Vdss) ：
60V
工作温度 ：
-55℃~+150℃
连续漏极电流 ：
500mA
Vgs(Max) ：
±20V
栅极电荷(Qg) ：
-
输入电容(Ci) ：
50pF
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
SOT-363
MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6
L2N7002DW1T1G由LRC设计生产。L2N7002DW1T1G封装/规格：晶体管类型/2个N沟道(双)：功率耗散/380mW：充电电量/-：栅极源极击穿电压/±20V：极性/N-沟道：引脚数/6Pin：高度/1.10mm：长x宽/尺寸/2.20 x 1.35mm：类型/1个N沟道：阈值电压/2V：导通电阻(RDS(on)/7.5Ω@10V,500mA：漏源电压(Vdss)/60V：工作温度/-55℃~+150℃：连续漏极电流/500mA：Vgs(Max)/±20V：栅极电荷(Qg)/-：输入电容(Ci)/50pF：安装类型/SMT：封装/外壳/SOT-363：，MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6。你可以下载L2N7002DW1T1G中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
