MOSFETsSKSK3400

数据: SK3400.pdf

晶体管类型 : N沟道
栅极源极击穿电压 : ±12V
极性 : N-沟道
元件生命周期 : Active
引脚数 : 3Pin
高度 : 1.15mm
长x宽/尺寸 : 2.87 x 1.55mm
原产国家 : China Taiwan
原始制造商 : Taiwan shike Electronics co.,ltd
类型 : 1个N沟道
是否无铅 : Yes
零件状态 : Active
阈值电压 : 1.5V
导通电阻(RDS(on) : 35mΩ@10V
漏源电压(Vdss) : 30V
连续漏极电流 : 5.8A
Vgs(Max) : ±12V
栅极电荷(Qg) : 8.5nC
安装类型 : SMT
封装/外壳 : SC59
MOSFETs N-Channe VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A SC59
SK3400由SK设计生产。SK3400封装/规格:晶体管类型/N沟道:栅极源极击穿电压/±12V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:引脚数/3Pin:高度/1.15mm:长x宽/尺寸/2.87 x 1.55mm:原产国家/China Taiwan:原始制造商/Taiwan shike Electronics co.,ltd:类型/1个N沟道:是否无铅/Yes:零件状态/Active:阈值电压/1.5V:导通电阻(RDS(on)/35mΩ@10V:漏源电压(Vdss)/30V:连续漏极电流/5.8A:Vgs(Max)/±12V:栅极电荷(Qg)/8.5nC:安装类型/SMT:封装/外壳/SC59:,MOSFETs N-Channe VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A SC59。你可以下载SK3400中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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