配置 ：
单路
阈值电压 ：
2.5V
晶体管类型 ：
N沟道
功率耗散 ：
200mW
栅极源极击穿电压 ：
-
极性 ：
N-沟道
元件生命周期 ：
Active
引脚数 ：
3Pin
高度 ：
1.12mm
长x宽/尺寸 ：
3.04 x 1.40mm
原产国家 ：
America
原始制造商 ：
Micro Commercial Components
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） ：
7.5欧姆@500mA，10V
湿气敏感性等级 (MSL) ：
1（无限）
是否无铅 ：
Yes
系列 ：
-
零件状态 ：
Active
漏源电压(Vdss) ：
60V
连续漏极电流 ：
115mA
工作温度 ：
-55℃~+150℃
安装类型 ：
SMT
封装/外壳 ：
SOT-23
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW
2N7002-TP由MCC设计生产。2N7002-TP封装/规格：配置/单路：阈值电压/2.5V：晶体管类型/N沟道：功率耗散/200mW：栅极源极击穿电压/-：极性/N-沟道：元件生命周期/Active：引脚数/3Pin：高度/1.12mm：长x宽/尺寸/3.04 x 1.40mm：原产国家/America：原始制造商/Micro Commercial Components：不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）/7.5欧姆@500mA，10V：湿气敏感性等级 (MSL)/1（无限）：是否无铅/Yes：系列/-：零件状态/Active：漏源电压(Vdss)/60V：连续漏极电流/115mA：工作温度/-55℃~+150℃：安装类型/SMT：封装/外壳/SOT-23：，N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW。你可以下载2N7002-TP中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
